[发明专利]一种工业硅熔体微负压炉外精炼的方法有效

专利信息
申请号: 202010672622.4 申请日: 2020-07-14
公开(公告)号: CN111646478B 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 魏奎先;邓小聪;马文会;伍继君 申请(专利权)人: 昆明理工大学;云南省能源研究院有限公司
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 天津煜博知识产权代理事务所(普通合伙) 12246 代理人: 朱维
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明涉及一种工业硅熔体微负压炉外精炼的方法,属于硅熔体火法精炼提纯技术领域。本发明将微负压装置移至炉外精炼装置的抬包口正上方,开启微负压装置的真空装置使工业硅熔体进行微负压炉外精炼,在工业硅熔体炉外精炼过程中除去工业硅熔体中的易挥发性杂质,提高硅产品的质量。本发明在硅熔体上方营造出的微负压环境,可以避免硅熔体炉外精炼过程中烟气的逸出,减少环境影响。本发明方法具有设备要求简单、操作容易、环境友好、适合规模化工业生产。
搜索关键词: 一种 工业 硅熔体微负压炉外 精炼 方法
【主权项】:
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