[发明专利]石墨烯旁路二极管与晶硅太阳电池的集成结构及制备方法

摘要

一种石墨烯旁路二极管与晶硅太阳电池的集成结构及制备方法，该集成结构包括n型硅基区、p+型晶体硅发射区、n+硅掺杂区、隔离槽、钝化层、背光面电极、石墨烯膜层、石墨烯表面电极以及迎光面电极。本发明通过将石墨烯旁路二极管与太阳电池集成，在不影响组件封装的情况下，实现每个太阳电池均受到旁路二极管的保护；通过激光划刻将石墨烯二极管与太阳电池隔离开，可以有效降低旁路二极管与太阳电池交界处的漏电与发热现象；由采用该技术的太阳电池组成的光伏组件可以大幅降低电流失配对组件的输出功率及安全性的影响。