[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202010887358.6 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN114122151B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王连红;平尔萱 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/49;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提出一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：衬底、半导体结构、绝缘层、导电层；所述半导体结构位于所述衬底的一侧，包括第一半导体结构和第二半导体结构，所述第一半导体结构和所述第二半导体结构形成PN结；所述绝缘层位于所述半导体结构背离所述衬底的一侧；所述导电层位于所述绝缘层背离所述衬底的一侧，且所述导电层在所述衬底的正投影与所述PN结在所述衬底的正投影至少部分重合。所述导电层用于减小所述第一半导体结构和所述第二半导体结构形成的PN结的势垒，从而增加在相同电压下所述PN结的电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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