[发明专利]半导体装置及半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 202010994209.X | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN112563248A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 野村典嗣 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及半导体元件的制造方法。抑制了在为了进行在半导体基板形成的半导体元件的电气特性的评价等对半导体元件施加了电压的情况下在半导体元件与元件间部之间发生局部放电，对异物附着于半导体基板、在半导体基板形成部件痕迹等进行抑制。半导体装置具有半导体基板以及放电抑制材料。半导体基板具有元件间部以及多个半导体元件。多个半导体元件在半导体基板的扩展方向排列。元件间部位于多个半导体元件所包含的相邻的半导体元件之间。放电抑制材料附着于元件间部的表面，但没有附着于多个半导体元件所包含的各半导体元件的中央部的表面。放电抑制材料由绝缘体构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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