[发明专利]激光退火装置及激光退火方法在审
| 申请号： | 202011126457.9 | 申请日： | 2020-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN114388388A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 刘亚;周伟;李运锋;苏海业;罗闻 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/268;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种激光退火装置和一种激光退火方法。所述激光退火装置包括振镜模块、聚焦模块和匀光整形模块，振镜模块包括振镜，入射至振镜模块的激光束通过振镜的转动改变出射位置，聚焦模块对从振镜模块出射的激光束进行聚焦，匀光整形模块具有至少一个自由度，通过改变匀光整形模块在所述自由度上的位置以调节所述光斑的像质。通过调整匀光整形模块在所述自由度上的位置，便于调节光斑的像质，从而可以改善由于振镜扫描角度变化引起的光斑形变及像质变差的现象。所述激光退火方法通过调整各个视场点的光斑的像质，以提高激光退火效果。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
