[发明专利]一种基于零维金属卤化物的发光二极管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202011242065.9 申请日: 2020-11-09
公开(公告)号: CN112331793A 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: 蔡培庆;王淞;徐天侔;滕嵘驭;范雄生;艾琦;刘祖刚 申请(专利权)人: 中国计量大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 杭州知闲专利代理事务所(特殊普通合伙) 33315 代理人: 张勋斌
地址: 310018 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种基于零维金属卤化物的发光二极管及其制备方法。该发光二极管包括溶液和器件结构,所述溶液包括PEDOT:PSS、溶于氯苯的Poly‑TPD溶液以及溶于DMSO的Ph4PCl和SbCl3溶液,其中Ph4PCl和SbCl3的摩尔比为2:1。所述的器件结构为ITO/PEDOT:PSS/Poly‑TPD/(Ph4P2)SbCl5/TPBi/LiF/Al。从而实现零维金属卤化物的橙色电致发光器件,以促进零维金属卤化物在显示照明上的应用。本发明中的各功能层对环境友好,制备方法简便,同时适应于其它零维金属卤化物,具有良好的应用前景。
搜索关键词: 一种 基于 金属 卤化物 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
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