[发明专利]一种超低密度二氧化钛泡沫的制备方法有效
| 申请号： | 202011387020.0 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112429769B | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 牛高;袁磊;徐习斌;杨睿戆;谭秀兰;董云松 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 主分类号： | C23C16/01 | 分类号： | C23C16/01;C23C16/40;C23C16/455;C01G23/07;C01G23/047;B22F9/24 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 | 代理人： | 贾晓燕 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超低密度二氧化钛泡沫的制备方法，包括：以低密度金属泡沫作为原子层沉积的基底放入原子层沉积设备的反应腔，分别依次以钛源和氧源作为生成二氧化钛的前躯体，开启原子层沉积设备循环沉积，循环沉积完成后，停止加热；待反应腔温度降低至室温后，取出低密度金属泡沫和二氧化钛泡沫复合块体，将其浸泡于稀硝酸中，以去除低密度金属泡沫，得到二氧化钛块体材料；将二氧化钛块体材料冲洗，并用超临界二氧化碳干燥，得到低密度二氧化钛泡沫。此方法制备的低密度二氧化钛泡沫可应用于激光惯性约束聚变、储氢、净化、过滤、催化支架等其相关领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 密度 氧化 泡沫 制备 方法 | ||
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- 本发明提供一种规则排列多孔纳米结构薄膜的模版拓印方法，属于纳米加工制备技术领域。该方法首先选取带有多孔纳米孔结构的阳极氧化铝薄膜做为衬底；然后利用磁控溅射、热蒸镀、分子束外延、金属有机气相化学沉积、原子层沉积等方法在选取好的阳极氧化铝薄膜上沉积单一的金属、磁性材料、半导体成份及其混合成份；再将带有薄膜的表面粘贴到胶带上或者表面旋涂透明的聚合物溶液后烘干；最后用碱性、酸性或金属盐溶液去除阳极氧化铝薄膜，得到规则排列的多孔纳米结构薄膜。该方法操作过程简单易行，制得的薄膜具有独特的鞋钉状纳米孔结构。
- 高通量化学气相沉积电极-201680026810.1
- 穆恩·春 - 太阳能公司
- 2016-05-04 - 2018-02-09 - C23C16/01
- 本发明公开了用于制造可用作生长晶体硅材料直接原料的高通量、低成本管状多晶硅棒料的工艺和系统。在一个实例中，化学气相沉积(CVD)工艺包括在管状电极上沉积多晶硅以形成管状多晶硅棒料。所述管状多晶硅棒料可在浮区工艺中熔化以生长单晶硅材料。
- 一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法-201710632848.X
- 张景文;王进军;陈旭东;李洁琼;王晓亮;卜忍安;王宏兴;侯洵 - 西安交通大学
- 2017-07-28 - 2017-11-28 - C23C16/01
- 本发明公开了一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法，通过在硅晶圆衬底表层下形成氢层，然后再在形成氢层的硅晶圆衬底表层上生成金刚石薄膜，然后通过电化学剥离方法从硅晶圆衬底氢离子层处剥离使硅晶圆衬底和金刚石薄膜分离，形成自撑金刚石薄膜，在自撑金刚石薄膜表面形成了一层便于修复平整加工余量的硅晶圆衬底层，避免造成剥离过程中金刚石薄膜受损，通过从形成氢层的硅晶圆衬底处进行剥离，节省了硅晶圆衬底的成本，避免了硅晶圆衬底材料的浪费，可对剥离后的硅晶圆衬底重复利用，本方法简单快捷，剥离效率高，对剥离后的金刚石薄膜采用CMP抛光技术进行抛光即可得到表面完整的金刚石薄膜，大大提高了金刚石薄膜表面的平整度。
- 大面积光学质量合成多晶金刚石窗户-201280068522.4
- P·N·英格利斯;J·R·布莱顿;J·M·多德森;T·P·莫拉特 - 六号元素技术有限公司
- 2012-12-13 - 2017-10-10 - C23C16/01
- 本发明涉及一种多晶化学气相沉积的(CVD)金刚石晶圆，其包括最大线性尺寸等于或大于70mm；厚度等于或大于1.3mm；以及在室温(标称的298K)下测量的、多晶CVD金刚石晶圆的至少中心区域上的以下特征中的一个或两个在10.6μm下吸收系数≤0.2cm‑1；和在145GHz下介电损失系数为tanδ≤2×10‑4，所述中心区域是圆形的，以多晶CVD金刚石晶圆的中心点为中心，并且具有的直径为多晶CVD金刚石晶圆的最大线性尺寸的至少70％。
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
