[发明专利]一种横向晶体管有效
| 申请号： | 202011454548.5 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112542514B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 吉杨·永;连延杰;傅达平;张昕;乔伊·迈克格雷格;柳志亨;邢进;王晓刚;杨海峰 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成都市成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例揭露了一种横向晶体管，其可以包括源区、漏区、栅区、阱区、位于阱区的在所述漏区与所述栅区之间的一部分之上或之中的场介电结构以及位于所述场介电结构的一部分之上的场板定位层。该场板定位层与所述栅区的靠近所述场介电结构的那一侧的边缘之间具有第一横向距离。该横向晶体管还可以包括位于所述场板定位层之上的横向导电场板，其与所述栅区的靠近所述场介电结构的那一侧的边缘之间具有第二横向距离；以及纵向槽型场板接触，其纵向延伸穿过层间介电层直至与所述横向导电场板接触。可以通过调节所述场板定位层的纵向厚度来灵活调节/控制场板至半导体表面高度以使横向导电场板/纵向槽型场板接触有效地发挥减小表面电场的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都芯源系统有限公司，未经成都芯源系统有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011454548.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
