[发明专利]太阳能电池及生产方法、光伏组件有效
申请号: | 202011548702.5 | 申请日: | 2020-12-23 |
公开(公告)号: | CN114744053B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 刘继宇;李华 | 申请(专利权)人: | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/06;H01L31/18 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 赵娟 |
地址: | 225300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种太阳能电池及生产方法、光伏组件,涉及太阳能光伏技术领域。太阳能电池包括:硅基底、氧化硅层、隧穿钝化层和氮化钛层;其中,氧化硅层设置在硅基底的表面,隧穿钝化层设置在氧化硅层远离硅基底的一面,氮化钛层设置在隧穿钝化层远离氧化硅层的一面。本申请中,具有载流子选择性的氮化钛层与硅基底之间,除氧化硅层之外,还设置有隧穿钝化层,氧化硅层和隧穿钝化层构成的叠层结构可以避免在高温退火时氮化钛层进入硅基底中,使得硅基底的接触电阻和接触复合不会因为氮化钛的进入而增加,从而确保太阳能电池的开路电压和填充因子,提高太阳能电池的效率。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 生产 方法 组件 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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