[发明专利]一种光控膜制备方法在审

申请号：	202011589328.3	申请日：	2020-12-29
公开（公告）号：	CN112698544A	公开（公告）日：	2021-04-23
发明（设计）人：	王祖超	申请（专利权）人：	苏州莱科光学科技有限公司
主分类号：	G03F1/20	分类号：	G03F1/20;G03F1/80
代理公司：	常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231	代理人：	滕诣迪
地址：	215513 江苏省苏***	国省代码：	江苏;32
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明公开了一种光控膜制备方法，本发明先制作光刻掩膜，利用光刻掩膜通过光刻技术制备光刻模具，最后利用光刻模具进行光控膜制备，本发明通过光刻方式制备模具，大大提高模具的精确度，并通过制备出的模具对光膜进行加工从而制备出可以提供高透过率防窥膜，本发明通过光刻技术制备出高精度模具，通过高精度模具制造出具有高透过率防窥膜的光学设计，本发明制备的光控膜可以根据不同应用需要而调整出光角度，从而达成不同的光控需求。
搜索关键词：	一种光控制备方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

暂无信息

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州莱科光学科技有限公司，未经苏州莱科光学科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011589328.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。

上一篇：支付方法、装置、系统、服务器、设备及介质
下一篇：一种二次塑封封装结构及其制作方法

同类专利

掩膜板的形成方法-202210233150.1
发明人：陈明;柳锋;巫轶骏;严世传;卢聪 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G03F1/20
摘要：一种掩膜板的形成方法，包括：提供基底；在基底上形成遮光材料层；在遮光材料层上形成吸收层，所述吸收层材料的原子核半径小于所述遮光材料层材料的原子核半径；在吸收层上形成光刻胶材料层；对所述光刻胶材料层进行曝光处理；对所述曝光后的光刻胶材料层进行显影处理，在吸收层上形成图形化的光刻胶层。所述方法形成的掩膜板的图形精度得到提升。

具有改善电子束光刻邻近效应功能的掩模版及其制备方法-202211588556.8
发明人：罗先刚;赵博文;高平;岳伟生;张涛;赵泽宇 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G03F1/20
摘要：本公开提供一种具有改善电子束光刻邻近效应功能的掩模版及其制备方法，该掩模版包括：衬底(1)；掩模吸收层(2)，由低原子序数材料构成，以降低电子束光刻过程中入射电子束(4)与掩模吸收层(2)中低原子序数材料原子核碰撞的概率，改善电子束光刻过程中的光学邻近效应。本公开的掩模版通过选择由低原子序数材料构成掩模吸收层(2)，降低了电子束入射过程中入射电子束(4)与掩模吸收层(2)中元素原子核碰撞的概率，从而减少了背散射电子返回电子束光刻胶层(3)的概率，由此改善了电子束光刻过程中的光学邻近效应。

一种电子束隐形防伪印刷标签及其制作方法-202211194175.1
发明人：宋孝飞;邓健珍;马楚力;马家慧;马楚邦;马楚衡;马松绵;罗爽爽 -专利权人：东莞嘉颐实业有限公司;力嘉包装（东莞）有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G03F1/20
摘要：本发明涉及隐形防伪标签的技术领域，尤其涉及一种电子束隐形防伪印刷标签及其制作方法，具体包括以下步骤：S1：防伪码电子图形的生成；S2：掩膜版的制作；S3：纳米氧化锌光子晶体薄膜浓缩液的制备；S4：电子束隐形防伪印刷标签的印刷与封装。本发明的电子束隐形防伪印刷标签通过采用纳米氧化锌光子晶体薄膜，可实现标签的隐藏，通过采用更为精细的掩膜版可以得到高分辨率的微观图案，工艺难度大，可以有效避免被仿制，并保证防伪性能。

一种电子束投影曝光成像系统的掩模装置-202210335194.5
发明人：不公告发明人 -专利权人：陈惠玲
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G03F1/20
摘要：本发明涉及一种电子束投影曝光成像系统的掩模装置，掩模装置的掩模包括：有特定几何图形的掩蔽层和其下的支撑层，有特定几何图形的掩蔽层带电，带电的有特定几何图形的掩蔽层形成电场，能使高压电子差异性通过形成特定的几何图形。

一种通过离子束实现蛋白质薄膜图案化的加工方法-202210245196.5
发明人：张紫茵;王赟姣;周大明;徐汉福;唐艺芸;胡杰;马艳;刘荣鹏;王德强;代方银;周泽扬;袁家虎;向仲怀 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院;西南大学
申请日： 2022-03-13 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G03F1/20
摘要：本发明提供了一种通过离子束实现蛋白质薄膜图案化的加工方法，其包括以下步骤：步骤S1，清洗基片；步骤S2，在清洗后的基片上旋涂蛋白质溶液；步骤S3，在步骤S2得到的基片上构建蛋白质正胶薄膜结构；步骤S4，根据设计好的图形，利用离子束对蛋白质薄膜进行辐照，在蛋白质薄膜上形成所需结构。本发明不使用普遍具有毒性的有机物作为抗刻蚀剂和显影液，因此具有环境友好的优势；并且离子束图案化是一种直写曝光方法，无需掩模，并且相较现有其他图案化方法，图案化效率更高，且几乎没有邻近效应。

光掩模的制造方法、光掩模以及显示装置的制造方法-202110480246.3
发明人：吉田光一郎;金台勋;李锡薰 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G03F1/20
摘要：本发明的课题在于提供兼具更微细、更高的CD精度和透射率精度的光掩模的制造方法、光掩模以及显示装置的制造方法。本发明的解决手段为一种光掩模的制造方法，该光掩模在透明基板上具备包含透光部、第1透射控制部和第2透射控制部的转印用图案。该制造方法该制造方法包括：准备在透明基板上形成有具有规定的曝光光透射率的第1薄膜的光掩模坯的工序；对第1薄膜进行蚀刻，由此形成第1薄膜图案的第1图案化工序；在形成有第1薄膜图案的透明基板上形成第2薄膜，对第2薄膜进行蚀刻，由此形成第2薄膜图案的第2图案化工序。在上述第2图案化工序中，仅对上述第2薄膜进行蚀刻。

光掩模坯-202110229575.0
发明人：深谷创一;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G03F1/20
摘要：本发明涉及光掩模坯。本发明提供一种适于制备光掩模的光掩模坯的制造方法，所述光掩膜用于20nm以下结点的光刻法，该光掩模坯包括石英基板和在该石英基板上形成的铬系材料膜，该铬系材料膜为遮光膜并具有对应于50nm以下的翘曲量的拉伸应力或压缩应力，其中该制造方法包括如下步骤：通过使用铬靶和惰性气体与反应气体作为溅射气体在所述反应气体与所述惰性气体的流量比为1～2的条件下进行溅射，从而在具有152mm见方尺寸和6.35mm厚度的石英基板上形成具有至少0.050/nm的在波长193nm下的每单位膜厚度的光学密度的铬系材料膜。

空白掩模及利用其制备的光掩模-201510640051.5
发明人：南基守;申澈;李钟华;梁澈圭;崔珉箕;金昌俊;全永眺 -专利权人：株式会社SSTECH
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G03F1/20
摘要：本发明公开了一种空白掩模和光掩模，控制光屏蔽膜的金属及轻元素成分，以便光屏蔽膜可保证光屏蔽效率，增加刻蚀速度，变得更薄，并具有最小的表面电阻。为此，根据本发明的空白掩模包括至少一个位于透明基板上的光屏蔽膜，所述光屏蔽膜包括毗邻所述基板的第一光屏蔽层和形成于所述第一光屏蔽层上面的第二光屏蔽层，所述第一和第二光屏蔽层包含铬(Cr)和钼(Mo)。

一种光控膜制备方法-202011589328.3
发明人：王祖超 -专利权人：苏州莱科光学科技有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： G03F1/20
摘要：本发明公开了一种光控膜制备方法，本发明先制作光刻掩膜，利用光刻掩膜通过光刻技术制备光刻模具，最后利用光刻模具进行光控膜制备，本发明通过光刻方式制备模具，大大提高模具的精确度，并通过制备出的模具对光膜进行加工从而制备出可以提供高透过率防窥膜，本发明通过光刻技术制备出高精度模具，通过高精度模具制造出具有高透过率防窥膜的光学设计，本发明制备的光控膜可以根据不同应用需要而调整出光角度，从而达成不同的光控需求。

微纳米阵列结构、其制备方法和制备其用的掩模阵列-201510472382.2
发明人：陈东学;刘前 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G03F1/20
摘要：本发明提供一种用于在基底上制备微纳米阵列结构的掩模阵列，以及用所述掩模阵列制备得到的微纳米阵列结构。所述掩模阵列由掩模单元阵列组成；所述掩模单元包括底面和向上翘起的侧面，所述底面平铺在基底上。本发明提供的掩模阵列，克服了传统掩模在干法蚀刻中易产生变形、缺陷和收缩等掩模损伤，从而导致掩模形状转移到基底时存在边壁效应，如：畸变、侧壁条纹和柱体陡直度减小等不足，本发明的悬空掩模不受材料和形状限制；同时，本发明的陡直的表面光滑柱体也不受材料和形状的限制；本发明工艺流程简单、加工方便，价格相对便宜。

在衬底上形成期望的图案的方法-201480049625.5
发明人： B·霍尔斯特 -专利权人：卑尔根技术交易股份公司
申请日： 2014-07-21 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： G03F1/20
摘要：本发明涉及在衬底上形成期望的图案的方法，所述方法包括步骤：a)产生原子束或分子束，尤其是He原子束；b)提供具有期望图案，例如在所述衬底上期望的图案的傅里叶变换的掩模；c)引导所述原子束或分子束通过所述图案化的掩模至衬底，据此通过与穿透掩模的部分所述原子束或分子束相互作用，在所述衬底上形成图案，所述图案基于掩模的图案，其中所述图案化的掩模由包含以下步骤的方法制备：d)提供多孔起始掩模材料，所述材料具有允许所述原子束或分子束穿透的尺寸的开口；e)通过填充所述掩模的部分开口从而对所述原子束或分子束变得不透明来在所述掩模上生成期望的图案。本发明的方法对于制备导电电路结构(微芯片)或微机电系统(MEMS)或微米/纳米射流结构或一般纳米结构的表面(即，疏水或亲水的表面或反射/抗反射表面)是有用的。

掩膜板-201320526670.8
发明人：宋萍;陆相晚 -专利权人：合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： G03F1/20
摘要：本实用新型涉及显示技术领域，公开了一种掩膜板，包括掩膜面及与所述掩膜面相对的非掩膜面，其特征在于，所述非掩膜面为由四周至中心凹陷的曲面。本实用新型通过在掩膜板制作程序中，对掩膜板的非掩膜面进行研磨，使得掩膜板的非掩膜面由四周向中心向内凹陷呈曲面，以达到对自重导致的弯曲进行补偿，使掩膜面接近于平面，从而达到曝光后的光刻胶图形关键尺寸值在整体区域精细化、均匀化的效果。

专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]一种光控膜制备方法在审

专利文献下载