[发明专利]具有自对准接触结构的晶体管器件、电子装置及形成方法在审
| 申请号： | 202011599509.4 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114695118A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 林盈志;张峰溢;苏廷锜 | 申请（专利权）人： | 广州集成电路技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 511300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有自对准接触结构的晶体管器件的形成方法，包括以下步骤：在半导体基板上形成多个栅极结构，栅极结构包括栅极和形成于栅极相对侧壁上的侧壁间隔物；在栅极结构的上方沉积一层绝缘材料形成绝缘层；切割绝缘层以形成位于栅极结构上方的覆盖层；切割覆盖层以在半导体基板上方形成自对准接触元件，其中，覆盖层的宽度大于栅极结构的宽度，自对准接触元件通过覆盖层和侧壁间隔物与栅极结构电绝缘。因而避免了现有技术中侧壁间隔物上有金属残留物；最后形成的NMOS/PMOS栅极高度负载难以控制；凹陷栅极结构过程中使用的腔室门室难以维护(聚合物丰富)的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对准 接触 结构 晶体管 器件 电子 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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