[发明专利]一种在Ru(0001)薄膜上异质外延生长金刚石(111)薄膜的制备方法在审
申请号: | 202011636822.0 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN112831834A | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 魏强;王宏兴;陈根强;张晓凡;宋志强;王若铮 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | C30B29/04 | 分类号: | C30B29/04;C30B23/02;C30B29/02;C30B25/18 |
代理公司: | 西安维赛恩专利代理事务所(普通合伙) 61257 | 代理人: | 刘艳霞 |
地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种在Ru(0001)薄膜上异质外延生长金刚石(111)薄膜的制备方法,步骤一、在异质外延衬底材料上制备Ru(0001)薄膜;步骤二、在Ru(0001)薄膜上制备金刚石(111)籽晶;步骤三、将金刚石(111)籽晶在MP‑CVD中外延生长,得到单晶金刚石(111)薄膜。Ru具有良好的金属延展性,有效防止异质外延中缓冲层破裂问题,适合异质外延单晶金刚石生长;且降低了成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 ru 0001 薄膜 上异质 外延 生长 金刚石 111 制备 方法 | ||
【主权项】:
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