[实用新型]一种提高区熔硅单晶熔区热稳定的导流筒有效

专利信息
申请号: 202021311465.6 申请日: 2020-07-07
公开(公告)号: CN213327922U 公开(公告)日: 2021-06-01
发明(设计)人: 李伟凡;王遵义;孙健;王彦君 申请(专利权)人: 中环领先半导体材料有限公司;天津中环领先材料技术有限公司
主分类号: C30B13/00 分类号: C30B13/00;C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 代理人: 薛萌萌
地址: 214200 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型提供了一种提高区熔硅单晶熔区热稳定的导流筒,包括导流筒直壁部、导流筒斜壁部,所述导流洞斜壁部底部与所述导流筒的一端固定连接,所述导流筒斜壁部远离所述导流筒直壁部的一端开有用于对导流管内气体进行分流的分流槽,所述导流筒斜壁部与所述导流筒直壁部相连的一端外缘与所述导流筒端部的外缘吻合,所述导流筒斜壁部远离所述所述导流筒直壁部的一端截面面积小于所述导流筒斜壁部与所述导流筒直壁部相连的一端的截面面积。本实用新型所述的一种提高区熔硅单晶熔区热稳定的导流筒解决了由于拉制硅单晶时硅单晶由于温度梯度大容易炸裂的问题。
搜索关键词: 一种 提高 区熔硅单晶熔区热 稳定 导流
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