[发明专利]三维半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202080003197.8 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN112437982B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 高庭庭;薛磊;刘小欣;耿万波 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/10 | 分类号： | H10B43/10;H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本公开的各方面提供了一种半导体器件和用于制造该半导体器件的方法。穿过半导体器件的衬底之上的堆叠层形成沟道孔。沟道孔的侧壁沿着垂直于衬底的竖直方向延伸。在沟道孔中形成沿着竖直方向延伸的栅极电介质结构、沟道层和电介质结构。栅极电介质结构可以沿着沟道孔的侧壁形成，并且电介质结构可以形成在沟道层之上。可以将沟道层分离成沟道层区段以形成沟道结构，该沟道结构包括栅极电介质结构和用于相应晶体管串的沟道层区段。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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