[发明专利]离子检测装置在审

专利信息
申请号: 202080019870.7 申请日: 2020-01-22
公开(公告)号: CN113557587A 公开(公告)日: 2021-10-26
发明(设计)人: 吉成清美;杉山益之;桥本雄一郎;今村伸 申请(专利权)人: 株式会社日立高新技术
主分类号: H01J43/06 分类号: H01J43/06;H01J49/06;G01N27/62
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明实现了一种离子检测装置,其能够避免负离子与闪烁体直接碰撞,能够防止闪烁体劣化,实现闪烁体的长寿化、免维护化、正负两种离子的高灵敏度检测。相对于将正离子用CD(52)的中心点(63)与相对电极(54)的中心点(64)连接的基准线(65),负离子用CD(53)的中心点(66)配置在与闪烁体(56)的中心点(67)所在一侧的区域相反一侧的区域。从离子进入口(62)入射的正离子受到偏转力而与正离子用CD(52)碰撞所产生的二次电子与闪烁体(56)碰撞而发光,经过光导(59)被光电子倍增管(58)检测。沿着基准线(65)生成负电位势垒,从离子进入口(62)进入的负离子被负离子用CD(53)吸引而碰撞生成的正离子与正离子用CD(52)碰撞产生的二次电子与闪烁体(56)碰撞,被光电子倍增管(58)检测。
搜索关键词: 离子 检测 装置
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  • 瑞·德奥利维拉;瑟知·度阿特品杜 - 欧洲原子能研究组织
  • 2008-04-14 - 2011-04-06 - H01J43/06
  • 本发明提供了一种制造气体电子倍增器的方法。该方法包括:制备板料(28)的步骤,板料(28)包括绝缘片(12),所述绝缘片(12)在其表面上具有第一金属层和第二金属层(14,16);第一金属层孔形成步骤,通过光刻对所述第一金属层进行构图,以形成穿过第一金属层的孔(18);绝缘片孔形成步骤,通过仅从所述第一表面侧蚀刻,使在第一金属层(14)中形成的孔(18)延伸穿过绝缘片(12);以及第二金属层孔形成步骤,孔(18)延伸穿过第二金属层(16)。在一个实施方式中,通过电化学蚀刻实现第二金属层孔形成步骤,从而在对第二金属层(16)的蚀刻过程中保持第一金属层(14)不受影像。在另一实施方式中,在第二金属层孔形成步骤中,从外部蚀刻第一金属层和第二金属层(14,16),从而减小第一金属层和第二金属层(14,16)的初始厚度,同时通过第一金属层(14)和绝缘片(12)中的孔(18)蚀刻第二金属层(16),所述蚀刻被保持直到所述孔(18)延伸穿过所述第二金属层,其中,第一金属层和第二金属层(14,16)的初始平均厚度为6.5μm~25μm,优选地为7.5μm~12μm。
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