[发明专利]半导体设备制造中在金属电沉积期间的晶种层的保护

摘要

在进行电镀之前在半导体衬底上的铜晶种层上方形成保护层。该保护层能够保护铜晶种层免于氧化并免于在电镀的最初阶段溶解在电解液中。在一些实施方案中，该保护层避免该铜晶种层接触大气，并免于受到大气中的氧及/或湿气而氧化。该保护层包含比铜较不惰性的金属(例如，钴)，其中该金属可处于易于溶解于电镀液体中的氧化物形式。在一实施方案中，在不将铜晶种层暴露于大气的情况下，通过化学气相沉积以在铜晶种层上方沉积钴金属而形成保护性钴层，随后接着在将衬底暴露于大气之后使钴氧化为钴氧化物。所得的保护层在电镀期间被溶解。