[发明专利]防护膜、防护膜组件、碳纳米管网及其制造方法、碳纳米管膜、以及碳纳米管线及其制造方法在审
| 申请号： | 202080075746.2 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN114616520A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 高田直也;关和范;小寺豊 | 申请（专利权）人： | 凸版印刷株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 常海涛;金小芳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种能够实现由碳纳米管制成并且透射率的面内均一性优异的防护膜的技术。防护膜(12)包括：分别沿着第1方向(D1)延伸并且沿着径向排列的多个第1碳纳米管(1200a)、以及分别沿着与所述第1方向(D1)交叉的第2方向(D2)延伸并且沿着径向排列的多个第2碳纳米管(1200b)。 | ||
| 搜索关键词： | 防护 组件 纳米 管网 及其 制造 方法 以及 管线 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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