[发明专利]半导体装置的制造方法、记录介质及基板处理装置在审
| 申请号： | 202080104617.1 | 申请日： | 2020-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN116134173A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 小川有人;栗林幸永 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 范胜杰;姚海 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 能够提高含金属膜的电特性、生产率中的至少任一者。本发明具有：(a)将基板收纳于处理容器的工序；(b)对基板供给含金属气体的工序；(c)对基板供给第一还原气体的工序；(d)对基板供给与第一还原气体不同的第二还原气体的工序，通过进行1次以上的(b)、(c)和(d)，在基板上形成含金属膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 记录 介质 处理 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
