[发明专利]一种单晶生长的坩埚和方法在审
| 申请号： | 202110003012.X | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN112877771A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 魏汝省;李斌;赵丽霞;毛开礼;戴鑫;范云;靳霄曦;樊晓 | 申请（专利权）人： | 山西烁科晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘奇 |
| 地址： | 030006 山西省太*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单晶生长的坩埚和方法，属于晶体生长技术领域。本发明提供的坩埚包括坩埚本体，所述坩埚本体包括保温结构，置于所述保温结构内部的加热坩埚，置于所述加热坩埚内部的生长坩埚；所述保温结构与加热坩埚底部相互接触，所述加热坩埚和生长坩埚底部相互接触；所述保温结构和加热坩埚的侧壁之间、所述加热坩埚和生长坩埚的侧壁之间有空隙。本发明的坩埚在加热坩埚和生长坩埚之间设置空隙并有气流通过，将从生长坩埚扩散出来的气氛由两层坩埚间的气流直接带出坩埚，避免了生长坩埚内挥发的气氛对加热坩埚以及保温结构的腐蚀，极大的延长了加热坩埚及保温材料的寿命；同时，保证了生长坩埚内的热场稳定，进而提高单晶生长的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 坩埚 方法 | ||
【主权项】：
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