[发明专利]一种含量可精确调控的Sn掺杂氧化镓膜材料的生长方法

摘要

本发明涉及氧化镓材料的技术领域，具体的更涉及一种含量可精确调控的Sn掺杂Ga2O3膜材料的生长方法，步骤包括：生长n1个周期的Ga2O3薄膜；生长1个周期的SnO2薄膜；生长n2个周期的Ga2O3薄膜。循环这个步骤多次，可得到预定厚度的Sn掺杂Ga2O3薄膜。具体的，Ga2O3和SnO2薄膜生长步骤包括：在反应腔室内通入镓(或锡)前驱体，在衬底的表面进行吸附和反应；惰性气体吹扫；开启射频电源使O2电离产生等离子体，与吸附在衬底表面的镓(或锡)前驱体发生反应，生成Ga2O3(或SnO2)原子层；惰性气体吹扫。惰性气体吹扫。本发明利用ALD沉积Sn掺杂的Ga2O3薄膜，实现Sn元素在Ga2O3薄膜中的原子层级掺杂。