[发明专利]一种纳米晶磁芯的横磁处理方法在审
| 申请号： | 202110124206.5 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN112941290A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 谢双;王秀帅;黄旭文;徐猛 | 申请（专利权）人： | 佛山市中研非晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C21D9/00 | 分类号： | C21D9/00;C21D1/04;C21D1/74;C21D1/26;C21D11/00;H01F41/02 |
| 代理公司： | 广州科粤专利商标代理有限公司 44001 | 代理人： | 谭健洪;莫瑶江 |
| 地址： | 528000 广东省佛山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米晶磁芯的横磁处理方法，包括以下步骤：S1、选用纳米晶带材，将其卷绕成规定的尺寸；S2、调节横磁炉的温度，设定横磁炉在25‑35min内从常温上升至495‑505℃；S3、当横磁炉温度达到495‑505℃时，将纳米晶磁芯推入横磁炉中；S4、关闭横磁炉并在其中通入惰性气体；S5、横磁炉运行控温程序，温度维持在495‑505℃之间25‑35min，同时施加横磁场处理；S6、待横磁炉的炉温冷却至340‑360℃时，关闭惰性气体和横磁电流。通过采用上述技术方案，可减少磁畴壁之间的摩擦，故此时磁芯的100K磁导率可到2.3万以上；同时，节省了保温时间，节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 晶磁芯 处理 方法 | ||
【主权项】：
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