[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110226708.9 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN114203812A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 诹访刚史;末代知子;岩鍜治阳子;系数裕子 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极；第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层；第一导电型的第三半导体层；第二导电型的第四半导体层；第二导电型的第五半导体层；第一及第二控制电极。第一半导体层设置于第一电极与第二电极之间。第二半导体层设置于第一半导体层与第二电极之间。第三半导体层选择性地设置于第二半导体层与第二电极之间。第四半导体层设置于第一半导体层与第一电极之间。在沿着第一半导体层与第二半导体层之间的边界排列的第一及第二控制电极之间第五半导体层包含：第一部分，设置于第一半导体层中；及第二部分，设置于第一半导体层与第二半导体层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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