[发明专利]制造半导体设备的方法在审

专利信息
申请号: 202110323121.X 申请日: 2021-03-26
公开(公告)号: CN113515015A 公开(公告)日: 2021-10-19
发明(设计)人: 丰田刚宏;小林广明;稻秀树;浅野功辅;宫野皓贵 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F1/00
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 宋岩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了制造半导体设备的方法。通过使用具有掩模台和投影光学系统的曝光装置来制造半导体设备的方法包括通过使用布置在掩模台上的第一掩模来曝光基板的第一时段、通过使用布置在掩模台上的第二掩模来曝光基板的第二时段以及在第一时段与第二时段之间的第三时段。该方法包括:在第三时段的至少一部分中,将布置在掩模台上的第一掩模改变为第二掩模,以及在第一时段和第二时段中,执行控制以调整投影光学系统的光学元件的温度分布,以便减小投影光学系统的像差的改变。第三时段比第一时段短。
搜索关键词: 制造 半导体设备 方法
【主权项】:
暂无信息
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