[发明专利]一种三维存储器的纠错方法及装置有效
| 申请号： | 202110372885.8 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN112967747B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 王颀;杨柳;何菁;李前辉;于晓磊;霍宗亮;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C16/12 | 分类号： | G11C16/12;G11C16/08;G11C16/26;G11C16/34;G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供了一种三维存储器的纠错方法及装置，确定位于目标层的目标存储单元后，在目标存储单元的相邻层的编程单元施加编程电压，以利用字线串扰效应向目标存储单元注入电子，编程单元最终编程到的阈值电压高于存储器的存储单元的最高阈值电压，编程单元和目标存储单元串联连接，即本申请实施例中可以利用字线串扰效应对目标存储单元进行重编程，使目标存储单元的阈值电压增加到较大的数值，延长了目标存储单元的阈值电压再次降低到读电压之下的时间，延长了目标存储单元的数据保持时间，相比于现有技术中利用读电压脉冲和编程抑制电压脉冲的方式进行电子注入，本申请实施例可以在一个编程周期内完成对目标存储单元的充电，充电效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储器 纠错 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110372885.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种双层菱形交叉冷却结构
- 下一篇：电路仿真方法及设备
