[发明专利]一种抗辐射加固栅介质的EMCCD结构

摘要

本发明属于CCD器件技术邻域，具体涉及一种抗辐射加固栅介质的EMCCD结构，该结构包括：光敏区、存储区、水平区、电子倍增寄存器以及读出放大器；光敏区的结构包括硅衬底、栅介质二氧化硅层、栅介质氮化硅层以及多晶硅层；存储区、水平区和电子倍增寄存器的介质层的结构与光敏区的结构相似；电子倍增寄存器的栅介质二氧化硅层比光敏区和存储区的栅介质二氧化硅层厚；本发明的EMCCD结构中较薄的光敏区和存储区的栅介质二氧化硅层保证了EMCCD良好的抗辐射性能，较厚的电子倍增寄存器栅介质二氧化硅层保证了EMCCD在高电压工作时良好的绝缘性，解决了因电子倍增寄存器漏电而给图像造成亮斑或者亮条的问题。