[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202110444445.9 | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN113517231B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 杨蒙蒙;白杰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱颖;臧建明 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体制造技术领域，用于解决基底内的器件损伤的技术问题，该制作方法包括：提供基底，基底包括核心区和位于核心区外且相邻的外围区，基底上形成有预设阻挡层，预设阻挡层覆盖核心区和外围区；去除外围区对应的至少部分预设阻挡层，以暴露部分基底，保留的预设阻挡层形成第一阻挡层；在第一阻挡层和基底上依次形成层叠的介质层和第一导电层；去除第一阻挡层上的部分介质层和部分第一导电层，保留第一阻挡层上靠近外围区的部分介质层和部分第一导电层。通过第一阻挡层和介质层部分重叠，减少基底暴露，降低基底被去除部分的风险，进而降低了基底内的器件暴露甚至损伤的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110444445.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种野外溪流水资源投放勘测装置
- 下一篇：一种妇科护理用的双工位撑放组合器具
