[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110470109.1 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN115249747A | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 张峰溢;苏廷锜;蔡尚元;林盈志 | 申请（专利权）人： | 广州集成电路技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 李闯;郭伟刚 |
| 地址： | 511300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底上方形成有源结构和栅极结构；蚀刻阻挡层，形成于两个所述栅极结构之间；所述蚀刻阻挡层与所述有源结构间隔开以形成扩充空间，所述扩充空间内填充有接触结构。所述制备方法中通过在蚀刻阻挡层和有源结构之间形成伪介质层，然后通过蚀刻将其去除后，可在蚀刻阻挡层和有源结构之间形成可供接触结构延展进入的扩充空间，从而扩大有源结构与接触结构的抵接面积，减少接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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