[发明专利]测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 202110524223.8 | 申请日： | 2021-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN113363241B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 王帆 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种测试结构和测试方法中，利用第一导体结构和第二导体结构，实现至少位于第二导体结构和基底之间的绝缘层能够被击穿，从而使第二导体结构与基底导通。与现有技术中通过导体结构和基底之间存在耦合作用而容易使基底电压上升相比，本发明中的测试结构则是使第二导体结构和基底直接连接，使得基底电压和第二导体结构的电压相同，从而可通过第二导体结构更为准确的获取基底电压。如此，则在给第二导体结构和第三导体结构施加电压以进一步测量绝缘层的漏电流和/或击穿电压时，由于基底电压可以精确获得，进而使得所得到的测量结果也更为准确。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
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