[发明专利]一种铜基厚壁Nb3有效

专利信息
申请号: 202110647650.5 申请日: 2021-06-10
公开(公告)号: CN113373404B 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 杨自钦;何源;游志明;郭浩;熊平然;张军辉;张生虎 申请(专利权)人: 中国科学院近代物理研究所
主分类号: C23C10/08 分类号: C23C10/08;C23C4/131;C25D3/38;C23C22/24;C23G1/10
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 任晓云
地址: 730013 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明公开了一种铜基厚壁Nb3Sn薄膜超导腔及其制备方法,属于超导技术领域。本发明的铜基厚壁Nb3Sn薄膜超导腔的制备方法,包括如下步骤:(1)采用锡蒸汽扩散法由纯铌超导腔制备铌基Nb3Sn薄膜超导腔;(2)在所述铌基Nb3Sn薄膜超导腔外表面沉积铜层;(3)在沉积了铜层的铌基Nb3Sn薄膜超导腔外表面电镀无氧铜,即得到所述铜基厚壁Nb3Sn薄膜超导腔。该方法通过在铌基Nb3Sn薄膜超导腔外表面以电镀无氧铜的方式制备得到铜基厚壁Nb3Sn薄膜超导腔,成功避免了铜熔点低无法生成高质量Nb3Sn薄膜的缺点;且电镀的无氧铜致密度高、孔隙率低、热反应小。
搜索关键词: 一种 铜基厚壁 nb base sub
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