[发明专利]一种制备具有M/M-TCNQ肖特基结的纳米线的方法有效
| 申请号： | 202110674069.2 | 申请日： | 2021-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN113410386B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 闫永达;马骥;耿延泉;方卓;韩联欢;詹东平 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学;厦门大学 |
| 主分类号： | H10K10/23 | 分类号： | H10K10/23;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人： | 冯建 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种制备具有M/M‑TCNQ肖特基结的纳米线的方法，涉及一种纳米线制备方法。在硅基底上浇注PDMS，固化后的PDMS加工模具孔洞，沉积一层M膜，模具孔洞内浇注树脂，固化剥离后用树脂包埋得到切片用样品进行纳米切片，转移至氧化硅基底上，采用光刻工艺将M纳米线两端涂覆光刻胶保护，暴露出中间部分，置于TCNQ乙腈溶液中充分反应得到M/M‑TCNQ/M纳米线，去除两端光刻胶后再将中间部分涂覆光刻胶保护，沉积一层惰性金属膜用作引出电极，剥离中间部分光刻胶及惰性金属膜，最后进行纳米线的表征。能够高效可控地将M/M‑TCNQ肖特基结构集成于一根纳米线中，制备方法简单、加工效率高、可重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 具有 tcnq 肖特基结 纳米 方法 | ||
【主权项】：
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