[发明专利]一种具有双提拉副室的单晶硅生长炉在审
| 申请号： | 202110701633.5 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113235157A | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 李小锋;逯占文;曹玉宝;李万朋 | 申请（专利权）人： | 连城凯克斯科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/02;C30B15/14;C30B15/00 |
| 代理公司： | 无锡苏元专利代理事务所(普通合伙) 32471 | 代理人： | 吴忠义 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种具有双提拉副室的单晶硅生长炉，包括支架上端设置的单晶炉主体，单晶炉主体旁侧设置有立柱，立柱上部侧面设置有第一旋转升降装置和第二旋转升降装置，第一旋转升降装置连接有长晶副室，第二旋转升降装置连接有加料副室；长晶副室顶部设置有第一提拉装置，长晶副室中部设置有加热装置；加料副室顶部设置有第二提拉装置，第二提拉装置连接有加料器。本发明提供的具有双提拉副室的单晶硅生长炉，采用生长晶体时同步冷却及生长晶体收尾后预加热两种手段，缩短晶体冷却等待时间，采用双提拉副室分别完成生长和加料工作，加料准备不会额外增加时间，与传统方法相比，具有加料整体用时短、加料稳定可靠、设备成本低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 双提拉副室 单晶硅 生长 | ||
【主权项】：
暂无信息
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