[发明专利]半导体基底的制备方法及半导体器件有效
申请号: | 202110757022.2 | 申请日: | 2021-07-05 |
公开(公告)号: | CN113471138B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 杨航;全钟声 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762;H01L21/306;H01L21/3065;H01L27/088 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 孙宝海;袁礼君 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供一种半导体基底的制备方法及半导体器件。该方法包括:在半导体衬底上形成有源区与隔离沟槽;在隔离沟槽中以及有源区的表面沉积绝缘氧化物,其中,位于隔离沟槽中的绝缘氧化物为隔离结构,位于隔离结构的表面和有源区的表面的绝缘氧化物为隔离层;去除隔离层,使隔离结构的表面与有源区的表面平齐;蚀刻有源区至一预设深度,形成有源凹槽;在有源凹槽中外延生长半导体衬底,使有源区的表面与隔离结构的表面平齐。本发明的制备方法能够消除隔离结构与隔离沟槽的应力,保证了有源区不会受到应力破坏而产生缺陷或裂缝,同时避免影响器件的沟道中载流子的迁移率而影响器件性能,提高了半导体器件的良率。 | ||
搜索关键词: | 半导体 基底 制备 方法 半导体器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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