[发明专利]一种增益耦合分布反馈式半导体激光器及其制作方法在审
| 申请号： | 202110818091.X | 申请日： | 2021-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN113540974A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 彭长四;石震武;耿彪;杨新宁;缪力力;庄思怡;祁秋月 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王晓坤 |
| 地址： | 215131 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种增益耦合分布反馈式半导体激光器及其制作方法，该方法包括获得激光器下结构体，激光器下结构体包括由下至上依次层叠的衬底、缓冲层和下包层；采用原位激光诱导图形化外延技术在激光器下结构体的上表面外延生长无缺陷的量子点阵列作为有源层，形成增益光栅；增益光栅的布拉格波长位于量子点阵列的有效增益区内；在有源层的上表面外延生长上包层，并在激光器下结构体的下表面生长下导电层；在上包层的上表面生长绝缘层，并刻蚀绝缘层形成导电区；在绝缘层的上表面生长上导电层，得到增益耦合分布反馈式半导体激光器。采用原位激光诱导图形化外延技术生长有源层，可避免引入缺陷；不需制备光栅，实现纯增益耦合，制作流程非常简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增益 耦合 分布 反馈 半导体激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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