[发明专利]一种半导体功率器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202110876476.1 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN115692487A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 许永平;杨龙康;刘聪慧;欧阳雄 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体功率器件及其制作方法，该制作方法工艺过程简单，通过共享光罩，从目前主流的5‑7道核心光罩减少为4道核心光罩，其中，与常规半导体功率器件制造工艺相比，本发明省掉了P型重掺杂区和N型重掺杂区两个光罩，并通过同一光罩(第一光罩)定义了具有不同宽度的第一沟槽与第二沟槽，无需采用额外的光罩来形成第二沟槽，从而大大降低了工艺成本，且有助于提高良品率。本发明中，第二沟槽由于宽度较窄，易于被掺杂层填满，掺杂层中的第二导电类型掺杂剂向外扩散以在第二沟槽周围的第二导电类型阱区中形成第二导电类型重掺杂区，可以提供IGBT发射区或MOSFET源区的欧姆接触，并降低第二导电类型阱区的体电阻，有助于防止闩锁效应的触发。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 功率 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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