[发明专利]半导体存储装置在审

申请号：	202110912439.1	申请日：	2021-08-10
公开（公告）号：	CN115117065A	公开（公告）日：	2022-09-27
发明（设计）人：	冈岛睦	申请（专利权）人：	铠侠股份有限公司
主分类号：	H01L27/11502	分类号：	H01L27/11502;H01L27/11507
代理公司：	北京市中咨律师事务所 11247	代理人：	万利军;段承恩
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	本发明提供半导体存储装置，具备：多个存储部，在第1方向上排列；多个半导体层，在第1方向上排列，电连接于多个存储部；多个栅电极，在第1方向上排列，分别与多个半导体层相对向；栅绝缘膜，设置在多个半导体层与多个栅电极之间；第1布线，在第1方向上延伸，连接于多个栅电极；以及多条第2布线，在第1方向上排列，分别连接于多个半导体层。多个半导体层分别隔着栅绝缘膜与多个栅电极的第1方向上的一方侧以及另一方侧的面相对向。
搜索关键词：	半导体存储装置
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摘要：本发明提供半导体存储装置，具备：多个存储部，在第1方向上排列；多个半导体层，在第1方向上排列，电连接于多个存储部；多个栅电极，在第1方向上排列，分别与多个半导体层相对向；栅绝缘膜，设置在多个半导体层与多个栅电极之间；第1布线，在第1方向上延伸，连接于多个栅电极；以及多条第2布线，在第1方向上排列，分别连接于多个半导体层。多个半导体层分别隔着栅绝缘膜与多个栅电极的第1方向上的一方侧以及另一方侧的面相对向。

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摘要：一些实施例涉及铁电随机存取存储器(FeRAM)器件。该FeRAM器件包括：底部电极结构和位于底部电极结构上面的顶部电极。顶部电极具有在顶部电极的最外侧壁之间测量的第一宽度。铁电结构将底部电极结构与顶部电极分隔开。铁电结构具有在铁电结构的最外侧壁之间测量的第二宽度。第二宽度大于第一宽度，使得铁电结构包括反映第一宽度和第二宽度之间的差的凸缘。介电侧壁间隔件结构设置在凸缘上，并且覆盖顶部电极的最外侧壁。本发明的实施例还涉及存储器器件及其形成方法。

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摘要：本发明提供FeFET及其制造方法，该FeFET在不损害以往开发的FeFET具有的105秒以上的数据保持特性和108次以上的耐数据改写性特性的情况下，将强电介质的膜厚(df)减小至59nmdf150nm的范围以适于微细化，可进行写入电压的绝对值为3.3V以下的数据的写入。半导体强电介质存储元件的制造方法的特征在于，其是在半导体基体上按以下顺序形成了绝缘体、由铋层状钙钛矿结晶的强电介质的构成元素构成的膜、和金属后进行强电介质结晶化退火而制造的由半导体基体和绝缘体和强电介质和金属构成的元件的制造方法，上述膜由Ca和Sr和Bi和Ta和氧原子构成，上述金属由Ir或Pt或Ir和Pt的合金或Ru构成，上述强电介质结晶化退火在氮中加入了氧的混合气体中或者在氩中加入了氧的混合气体中进行。

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摘要：本发明公开了一种基于非对称叠层铁电电容及低压高速铁电存储器和制备方法，属于半导体存储器件领域。该非对称叠层铁电电容由顶电极、底电极以及两电极之间的双介质层构成，双介质层具体为与顶电极相邻的铁电介质层和与底电极相邻的介质层，本发明利用介质层作为籽层为铁电介质层提供结晶模板，能够在厚度不变的情况下提升铁电相占比；并利用不同元素还原性产生氧空位浓度梯度，从而产生内建电场辅助极化翻转。本发明提升了铁电随机存储器的存储窗口；且内建电场增强了读出电压，提高读出速度，缓解由于低电压操作带来的动态问题，有利于铁电随机存储器在低压高速下的应用。

基于六角ErMnO3-201810575100.5
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申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L27/11502
摘要：本发明涉及一种基于六角ErMnO3外延薄膜的铁电存储器件及其制备方法。所述制备方法包括：采用激光脉冲沉积法，先在Al2O3单晶衬底上沉积底电极Pt外延薄膜，再在所述底电极Pt外延薄膜上沉积六角ErMnO3外延薄膜，并对沉积的六角ErMnO3外延薄膜进行退火处理。通过本发明制得的铁电存储器件具有较好的铁电性，存储信息稳定，保持性能好，读写方便。

SOI技术中的NVM装置以及制造相应装置的方法-201710701164.0
发明人：史芬·拜耳;马丁·特瑞史奇;史帝芬·费拉候史奇;A·亨克 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L27/11502
摘要：本发明涉及SOI技术中的NVM装置以及制造相应装置的方法，在一个态样中，本发明提供一种半导体装置，其包括：衬底结构，包括形成于基础衬底上方的主动半导体材料以及形成于该主动半导体材料与该基础衬底之间的埋置绝缘材料；铁电栅极结构，设于该衬底结构的主动区中的该主动半导体材料上方，该铁电栅极结构包括栅极电极及铁电材料层；以及接触区，形成于该铁电栅极结构下方的该基础衬底中。

集成电路和制造集成电路的方法-202011294369.X
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摘要：MFMIS‑FET包括具有三维结构的MOSFET，该结构允许MOSFET具有大于MFM或MOSFET的覆盖区的有效面积。在一些实施例中，MOSFET的栅电极和MFM的底部电极是一体的。在一些情况下，它们具有相等的面积。在一些实施例中，MFM和MOSFET具有几乎相等的覆盖区。在一些实施例中，MOSFET的有效面积远大于MFM的有效面积。这些结构减小了MFM结构和MOSFET之间的电容比，而没有以会减小漏极电流的方式减小MFM结构的面积。本发明的实施例还涉及集成电路和制造集成电路的方法。

一种铪基铁电抗重离子辐照的多层加固电容结构-202011456424.0
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申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L27/11502
摘要：本发明公开了一种铪基铁电抗重离子辐照的多层加固电容结构,属于存储器领域，通过在铪基铁电薄膜与顶层电极板之间设有上二氧化硅层；铪基铁电薄膜层与底层电极板之间设有下二氧化硅层；使铁电薄膜层形成了良好的绝缘界面，从而使电场在传递过程中保持一致。在产生陷阱缺陷时，介质层中电场的强度与方向不发生改变。因此本发明能够实现在保持铁电薄膜性能的同时对重离子辐照产生的介质损伤进行加固，减少漏电和击穿现象。

一种制备磁性随机存储器阵列单元的方法-201711474396.3
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申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L27/11502
摘要：本发明提供了一种制备磁性随机存储器阵列单元的方法，通过在磁性隧道结电介质中间穿插一层位线通孔刻蚀阻挡层，使之能够阻挡在后续的位线通孔刻蚀工艺中的主刻蚀，并且提供主刻蚀终点光学发射谱判断信号；然后选用刻蚀速率更低、选择比更高的过刻蚀工艺对剩余的电介质和覆盖层进行刻蚀。本发明有效地避免了位线通孔刻蚀最后阶段在硬掩模和磁性隧道结周边电介质保护层的过刻蚀，进而避免了整个磁性随机存储器阵列单元电路的短路。

半导体装置-202010697139.1
发明人：朴硕汉;金容锡;金熙中;山田悟;李炅奂;弘载昊;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L27/11502
摘要：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一堆叠结构，包括在基底上交替地堆叠的多个第一绝缘图案和多个第一半导体图案，第一堆叠结构在平行于基底的上表面的第一方向上延伸；第一导电图案，位于第一堆叠结构的一个侧表面上，第一导电图案在与基底的上表面交叉的第二方向上延伸；以及第一铁电层，位于第一堆叠结构与第一导电图案之间，第一铁电层在第二方向上延伸，其中，第一半导体图案中的每个包括沿着第一方向顺序地布置的第一杂质区、第一沟道区和第二杂质区。

具有旋转检测的圆形打印存储器装置-201810136821.6
发明人： C·D·布莱尔;M·R·西尔韦斯特里 -专利权人：施乐公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L27/11502
摘要：公开了圆形打印存储器装置和用于制造圆形打印存储器装置的方法。例如，圆形打印存储器装置包括基础衬底，在基础衬底上以圆形图案布置的多个底部电极，在多个底部电极的顶部上的铁电层，以及在铁电层上的单个顶部电极，所述单个顶部电极经由铁电层接触多个底部电极的每一个。

包括磁性压持层的半导体设备-201910575682.1
发明人：刘扬名;叶宁;杨波 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L27/11502
摘要：本发明题为“包括磁性压持层的半导体设备”。本发明公开了一种半导体设备，所述半导体设备包括安装在基板上的一个或多个半导体管芯。每个半导体管芯可在所述半导体管芯的下部失活表面上形成有铁磁层。所述铁磁层在制造期间将所述半导体管芯下拉到彼此和所述基板上，以防止所述管芯翘曲。所述铁磁层还平衡所述管芯层之间的热膨胀系数的不匹配，从而进一步防止所述管芯翘曲。

铁电存储器件及其形成方法-201910840902.9
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申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L27/11502
摘要：公开了铁电存储器件和用于形成铁电存储器件的方法的实施例。在一个示例中，铁电存储单元包括第一电极、第二电极以及布置在第一电极与第二电极之间的掺杂铁电层。掺杂铁电层包括氧和一种或多种铁电金属。掺杂铁电层还包括多种掺杂物，包括来自下列各项之一的至少一种掺杂物：第II族元素、第III族元素以及镧系元素。所述多种掺杂物不同于所述一种或多种铁电金属。

存储器器件-202010465073.3
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摘要：公开了一种存储器器件，该存储器器件包括：衬底，包括第一区域和第二区域，第一区域具有第一字线和第一位线，第二区域具有第二字线和第二位线；第一存储单元阵列，包括第一区域中的第一存储单元，第一存储单元阵列具有易失性，并且每个第一存储单元包括具有与第一字线中的对应第一字线相邻的第一沟道区的单元开关以及连接到单元开关的电容器；以及第二存储单元阵列，包括第二区域中的第二存储单元，第二存储单元阵列具有非易失性，并且每个第二存储单元包括与第二字线中的对应第二字线相邻的第二沟道区、以及第二字线的对应第二字线与第二沟道区之间的铁电层。

电容器的阵列、用于形成集成电路的方法，以及用于形成电容器的阵列的方法-202010150099.9
发明人： S·L·莱特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L27/11502
摘要：本申请涉及电容器的阵列、用于形成集成电路的方法，以及用于形成电容器的阵列的方法。一种用于形成集成电路的方法包括形成竖向穿过包括第一材料和第二材料的堆叠的结构的阵列。所述结构相对于所述第一材料的最外部分竖直地投影。能量被引导到所述结构的竖直地投影部分上并且到在与竖直成角度的且在紧邻的所述结构之间沿着直线的方向上的所述第二材料上以形成到所述第二材料中的开口，所述开口沿着所述直线单独地在所述紧邻结构之间。公开了包含独立于方法的结构的其它实施例。

含横向尺寸改变吸收缓冲层的铁电存储单元及其制造方法-201710192448.1
发明人： C·卡尔松;欧勒·乔尼·哈格尔;雅各布·尼尔森;P·布罗姆斯 -专利权人：薄膜电子有限公司
申请日： 2011-06-27 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L27/11502
摘要：本申请涉及含横向尺寸改变吸收缓冲层的铁电存储单元及其制造方法。铁电存储单元(1)和包括一个或多个这样的单元(1)的存储设备(100)。铁电存储单元包括布置在柔性衬底(3)上的层的堆叠(4)。所述堆叠包括电活性部分(4a)和用以保护电活性部分免于划伤和磨损的保护层(11)。所述电活性部分包括底部电极层(5)和顶部电极层(9)以及位于所述电极之间的至少一个铁电存储材料层(7)。该堆叠还包括布置在顶部电极层(9)和保护层(11)之间的缓冲层(13)。缓冲层(13)适于至少部分地吸收发生在保护层(11)内的横向尺寸改变(ΔL)并且因此防止所述尺寸改变(ΔL)转移到电活性部分(4a)，因此减少发生在电极之间的短路风险。

半导体存储装置-201910486310.1
发明人：藤井章辅 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L27/11502
摘要：根据一个实施方式，实施方式的半导体存储装置具备：积层体，由层间绝缘层与栅极电极层在第1方向上交替积层而成；半导体层，设置于积层体之中，沿着第1方向延伸；第1绝缘层，设置于半导体层与栅极电极层之间；导电层，设置于第1绝缘层与栅极电极层之间；及第2绝缘层，设置于导电层与栅极电极层之间，包含铁电体；且在第1方向上相邻的2个导电层隔着层间绝缘层而分隔，栅极电极层的第1方向的第1厚度小于导电层的第1方向的第2厚度。

一种非易失性铁电随机存储器及制备工艺-201810349753.1
发明人：廖佳佳;彭强祥;曾斌建;廖敏;周益春 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L27/11502
摘要：本发明涉及一种非易失性铁电随机存储器及制备工艺，由于通孔填充时形成的表面不平坦，将该层结构与基底层的空间设计结合起来，将铁电电容集成在离通孔较远的金属上，一方面避免通孔表面附近不平坦给铁电电容带来的性能损伤，另一方面又可实现高密度的存储单元设计，该工艺制备的铁电随机存储器，其存储密度高、与CMOS工艺线完全兼容，工艺流程简单，以及在铁电电容集成前不需要平坦化工艺。

一种铁电柔性逻辑运算器件及其制造方法-202010201958.2
发明人：沈群东;刘佳豪;陈昕 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L27/11502
摘要：本发明提供了一种铁电柔性逻辑运算器件及其制造方法，铁电柔性逻辑运算器件包括运算器本体，运算器本体包括柔性铁电薄膜。柔性铁电薄膜由铁电高分子材料制成。制造铁电柔性逻辑运算器件时，首先构建铁电逻辑门，形成运算真值表；再根据运算真值表，采用铁电高分子材料选择不同的极化方式进行运算。本发明提供的铁电柔性逻辑运算器件制备过程简易，成本低廉，有效简化电路、减少误码率、增加运算效率。除此之外，本发明在非二进制逻辑中(三进制逻辑、混沌逻辑等)仍保留普通的双目运算很难实现的搭建完整逻辑体系的可能性。

一种二维材料-有机铁电材料超晶格存储器单元及其制备-201810684212.4
发明人：汤乃云 -专利权人：上海电力学院
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L27/11502
摘要：本发明涉及一种二维材料‑有机铁电材料超晶格存储器单元及其制备，其制备方法具体为：a)取由衬底(1)、介质层(2)和多层二维材料(31)复合而成的器件结构浸入到含有机铁电材料(32)的电解质溶液中；b)在多层二维材料(31)上制作三电极体系并施加负电压，使得带正电荷的有机离子被嵌入到多层二维材料中，形成超晶格(3)；c)再在超晶格(3)两端设置金属电极，即完成。与现有技术相比，本发明采用一种电化学有机分子插层法，构建一类二维材料和有机铁电分子材料相互交替的稳定超晶格材料。超晶格内铁电材料形成的电容是处于并联状态，提高了存储单元的电容量和集成密度，同时具有稳定性好、操作电压低、功耗小及成本低等特点。

一种实现多位数据存储的非挥发铁电存储器-201910582018.X
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存储器单元及形成存储器单元的方法-201811588942.0
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摘要：本申请案涉及存储器单元及形成存储器单元的方法。可编程电荷存储晶体管包括沟道材料、绝缘电荷通道材料、电荷存储材料、控制栅极，及所述电荷存储材料与所述控制栅极之间的电荷阻挡材料。所述电荷阻挡材料包括非铁电绝缘体材料及铁电绝缘体材料。揭示存储器单元的竖向延伸的存储器单元串阵列，包含形成此存储器单元的竖向延伸的存储器单元串阵列的方法。揭示其它实施例，包含方法。

铁电存储器件-201810649700.1
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申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L27/11502
摘要：一种铁电存储器件包括：衬底，其中具有源电极和漏电极；第一界面电介质层，其包括设置在源电极与漏电极之间的衬底上的反铁电材料；铁电栅电介质层，其包括设置在第一界面电介质层上的铁电材料；以及栅电极，其设置在铁电栅电介质层上。

一种透明柔性氧化物铁电存储器-201710333577.8
发明人：高焕;苏留帅;袁国亮 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L27/11502
摘要：本发明公开了一种透明柔性氧化物铁电存储器。该透明柔性铁电存储器由依次连接的云母基片、掺杂ZnO透明电极、氧化物铁电薄膜和ITO透明电极组成。本发明的铁电存储器，以层状钙钛矿氧化物铁电薄膜作为铁电功能层；其透光性好，波长超过400nm的可见光的透光率在80%以上；且柔性耐弯折，弯曲半径为1.4mm时，饱和极化强度和剩余极化强度接近于平整状态时的数值；耐高温性能优异，经450℃退火后，饱和极化强度和剩余极化强度无明显变化，在透明柔性铁电存储器中具有广泛的应用前景。

一种钇掺杂二氧化锆铁电薄膜的制备方法及应用-201810372287.9
发明人：周大雨;王静静;董伟;王雪霞;马晓倩;姚一凡;李帅东 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L27/11502
摘要：本发明提供了一种钇掺杂二氧化锆铁电薄膜的制备方法及应用。首先以无机锆盐、无机钇盐为前驱体配制澄清透明的全无机钇掺杂二氧化锆(ZrYO₂)前驱体溶液；然后根据ZrYO₂薄膜的厚度要求，可多次将前驱体溶液涂覆在经过标准RCA清洗工艺清洗后的基片表面并经干燥、预热处理、快速退火晶化得到正交相Pca2₁空间群晶体结构的ZrYO₂铁电薄膜。本发明的特点在于：薄膜厚度精确可控、致密性好、成膜均匀性好、表面粗糙度小、晶粒尺寸小；成本低廉，设备和操作环境要求简单，掺杂元素含量灵活可控，生产工艺简单，工艺重复性好、易于实现工业化生产。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

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[发明专利]半导体存储装置在审

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