[发明专利]晶圆结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202111100978.1 | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN113838836B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李静 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 赵新龙;袁礼君 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开一种晶圆结构及制造方法，晶圆结构包括：基底、晶粒、切割道、测试元件组和第三测试元件，晶粒形成在基底中，切割道形成在基底中，并环绕晶粒；测试元件组设置在切割道中；测试元件组包括邻接的第一测试元件和第二测试元件，第一测试元件和/或第二测试元件上具有孔洞；第三测试元件设置在切割道中，且至少部分的第三测试元件设置在孔洞内。通过将第三测试元件设置在第一测试元件和/或第二测试元件上的孔洞内，在保证第一测试元件和第二测试元件邻接设置的基础上，还能够确保在测试元件组的区域内设置第三测试元件，这样相邻的第三测试元件之间的距离能够满足小于等于设定值，实现第三测试元件的均匀布置。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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