[发明专利]一种大尺寸单晶金刚石拼接生长方法有效
| 申请号： | 202111195697.9 | 申请日： | 2021-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN114150376B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 邹广田;李根壮;吕宪义;王启亮;李柳暗;谢文良;林旺;董成威 | 申请（专利权）人： | 吉林大学;吉林大学深圳研究院 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B33/06;C30B29/04 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012 吉林省长春市*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明的一种大尺寸单晶金刚石拼接生长方法属于晶体生长技术领域，首先选取1片(100)取向的单晶金刚石作为衬底模板，在衬底模板表面生长单晶金刚石外延层并切割剥离，重复此操作获得多片晶体取向严格一致的高质量单晶金刚石外延片；研磨、抛光、清洗后放入CVD设备中生长1～4h，以观察样品表面台阶流生长方向；然后将外延片沿台阶流生长方向平行的方式进行排列，作为拼接衬底，在拼接衬底表面生长单晶金刚石外延层，并切割剥离，得到大尺寸高质量单晶金刚石。本发明在拼接缝处晶体的方向一致，拼接缝能够自然平缓的弥合，外延生长的晶体质量无明显退化，同时提高了单晶金刚石拼接生长的尺寸极限。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 金刚石 拼接 生长 方法 | ||
【主权项】：
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