[发明专利]一种基于拓扑半金属异质结的光电探测器及其探测方法有效
申请号: | 202111279782.3 | 申请日: | 2021-11-01 |
公开(公告)号: | CN114388650B | 公开(公告)日: | 2023-09-22 |
发明(设计)人: | 刘晶;宋晓明;孙栋 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/032;H01L21/66;H01L23/544 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于拓扑半金属异质结的光电探测器及其探测方法,本发明的光电探测器是由第II类狄拉克半金属二碲化铂(或二碲化钯)与第II类外尔半金属钽铱碲这两种零带隙材料组成的异质结光电探测器,因此探测光谱范围广,能覆盖可见光到中远红外波段;本发明的光电探测器对红外光非常敏感,暗电流非常小,在无偏压和偏压条件下均能正常工作;本发明的光电探测器对线偏振光方向敏感,可以用于线偏振探测;本发明的光电探测器对圆偏振光旋向敏感,可以用于圆偏振光探测;本发明光电探测器能够在室温下正常工作,无需制冷设备,因此大大降低了运行成本,这些优势将有助于本探测器的大范围应用和商业化推广。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 拓扑 金属 异质结 光电 探测器 及其 探测 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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