[发明专利]单光子雪崩二极管在审
| 申请号： | 202111424193.X | 申请日： | 2021-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN114284383A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 谢晋安;吴劲昌 | 申请（专利权）人： | 神盾股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 祝玉媛 |
| 地址： | 中国台湾新竹市东区慈云路*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单光子雪崩二极管，包括第一N型半导体井层、第二N型半导体井层及P型半导体井层。第二N型半导体井层配置于第一N型半导体井层上方。P型半导体井层包括第一P型半导体子层、第二P型半导体子层及P型半导体连接层。第一P型半导体子层配置于第一N型半导体井层上，第二P型半导体子层配置于第一P型半导体子层上方。第二N型半导体井层配置于第一P型半导体子层与第二P型半导体子层之间。P型半导体连接层连接第一P型半导体子层与第二P型半导体子层。第二N型半导体井层借由P型半导体井层的侧向开口与第一N型半导体井层连接。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 雪崩 二极管 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
