[发明专利]一种适用于深沟槽蚀刻的芯片制作工艺在审
| 申请号： | 202111582594.8 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN114267584A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 崔丹丹;裘立强;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州杰利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 葛军 |
| 地址： | 225008 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种适用于深沟槽蚀刻的芯片制作工艺。涉及一种半导体功率器件芯片加工领域，尤其涉及一种深沟槽蚀刻GPP芯片的沟槽湿法腐蚀工艺。包括以下步骤：1）扩散：在晶片表面沉积一层磷和硼，形成P+‑N‑N+结构；2）选择性光刻：将晶片区域化成晶粒，并在晶粒表面将待蚀刻的区域暴露出来，其它区域用光阻剂保护；3）沟槽蚀刻：3.1）采用KOH腐蚀液对暴露出来的硅进行湿法腐蚀；3.2）采用混酸对蚀刻道硅进行二次腐蚀；4）玻璃钝化；5）LTO：采用LPCVD在晶片表面沉积一层LTO膜；6）选择性光刻：通过光刻的方法将晶粒台面氧化膜去除；7）金属化：通过化学镀或蒸镀的方法，在晶片表面形成电极；完成。本发明减少作业时间，提升设备产能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 深沟 蚀刻 芯片 制作 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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