[发明专利]一种重掺磷超低阻硅单晶的制备方法有效
| 申请号： | 202111594443.4 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114318508B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王万华;李英涛;王凯磊;皮小争;方峰;崔彬 | 申请（专利权）人： | 山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 253012 山东省德州市经济技术开发区袁桥*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种重掺磷超低阻硅单晶的制备方法，在等径工序中，所采用的工艺为：(1)等径前期，炉室压力由70‑90Torr升到180‑220Torr；(2)等径中期，炉室压力维持在等径前期升至的高压不变；(3)等径后期，炉室压力由所述高压降到120‑150Torr；在整个等径过程中，晶体拉速以每毫米等径长度下降0.01‑0.2mm/hr的速度下降，在整个等径过程中，晶体拉速由55‑60mm/hr降至20‑25mm/hr。本发明通过控制晶体的拉速和炉室压力，能够克服等径后期因分凝导致杂质浓度过大出现位错的现象，从而获得无位错的完整单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 重掺磷超低阻硅单晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
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