[发明专利]双向二极管结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111629179.3 申请日: 2021-12-28
公开(公告)号: CN114429993A 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 施宜军;陈义强;贺致远;王宏跃;徐新兵;路国光;黄云 申请(专利权)人: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
主分类号: H01L29/788 分类号: H01L29/788;H01L21/336
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 史治法
地址: 511300 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种双向二极管结构及其制备方法。本发明的双向二极管结构包括:第一栅极结构;第二栅极结构,位于第一栅极结构的一侧,与第一栅极结构具有间距;阳极,位于第一栅极结构远离第二栅极结构的一侧,与第一栅极结构具有间距;阴极,位于第二栅极结构远离第一栅极结构的一侧,与第二栅极结构具有间距;第一电容,第一电容的第一极板与阳极相连接,第一电容的第二极板与第一栅极结构相连接;第二电容,第二电容的第一极板与阴极相连接,第二电容的第二极板与第二栅极结构相连接。本发明的双向二极管可以使ESD引起的累积静电电荷被有效地释放,避免ESD对器件结构的破坏,从而增强器件结构的ESD鲁棒性。
搜索关键词: 双向二极管 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
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