[发明专利]双向二极管结构及其制备方法在审
申请号: | 202111629179.3 | 申请日: | 2021-12-28 |
公开(公告)号: | CN114429993A | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 施宜军;陈义强;贺致远;王宏跃;徐新兵;路国光;黄云 | 申请(专利权)人: | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) |
主分类号: | H01L29/788 | 分类号: | H01L29/788;H01L21/336 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 史治法 |
地址: | 511300 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种双向二极管结构及其制备方法。本发明的双向二极管结构包括:第一栅极结构;第二栅极结构,位于第一栅极结构的一侧,与第一栅极结构具有间距;阳极,位于第一栅极结构远离第二栅极结构的一侧,与第一栅极结构具有间距;阴极,位于第二栅极结构远离第一栅极结构的一侧,与第二栅极结构具有间距;第一电容,第一电容的第一极板与阳极相连接,第一电容的第二极板与第一栅极结构相连接;第二电容,第二电容的第一极板与阴极相连接,第二电容的第二极板与第二栅极结构相连接。本发明的双向二极管可以使ESD引起的累积静电电荷被有效地释放,避免ESD对器件结构的破坏,从而增强器件结构的ESD鲁棒性。 | ||
搜索关键词: | 双向二极管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)),未经中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111629179.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类