[发明专利]二极管结构及其制备方法、半导体器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111631846.1 | 申请日： | 2021-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN114361256A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 施宜军;陈义强;贺致远;王宏跃;徐新兵;路国光;黄云 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 511300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二极管结构及其制备方法、半导体器件结构及其制备方法。本发明的二极管结构包括：栅极结构；阳极，位于栅极结构的一侧，与栅极结构具有间距；阴极，位于栅极结构远离阳极的一侧，与栅极结构具有间距；电容，电容的第一极板与阳极相连接，电容的第二极板与栅极结构相连接。在瞬态ESD期间，高电压变化率可诱导产生电容耦合电流，电容耦合电流将携带一定数量的正跃迁电荷到栅极结构，正跃迁电荷将存储在栅极结构并拉下栅极结构中的能带，并迫使电子聚集在栅极结构下，当正跃迁电荷产生的栅极电势达到一定值时，大电流可以通过栅极结构，使ESD引起的累积静电电荷被有效地释放，可以避免ESD对栅极结构的破坏，从而增强结构的ESD鲁棒性。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 结构 及其 制备 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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