[发明专利]一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的设备有效
| 申请号： | 202111661815.0 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114348957B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 巢炎;黄伟业;李彬 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周雷雷 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的设备，电机驱动两石墨电极旋转；三个超声发生器分别装配在反应釜内部的底面和两侧壁面上；一个超声发生器装配在釜端盖的下表面上。本发明通过两对超声发生器在硅片表面形成驻波场，使带电金属粒子停滞在驻波场的驻波节点上；石墨电极通电使带电金属粒子沿交变电场力方向运动，团聚在带电金属粒子周围的腐蚀液中的酸在带电金属粒子带动下与硅片表面反应；通过改变超声波频率和幅值改变驻波场中驻波节点位置，改变在硅片上的刻蚀位置；电机调整两石墨电极位置，使交变电场力方向改变；改变交变电流的频率和幅值，调整微结构刻蚀深度。本发明能按预设图案对硅片进行刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 交变电场 结合 超声 制备 纳米 结构 设备 | ||
【主权项】：
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