[实用新型]基于氧化镓二维电子气的薄膜场效应晶体管有效
申请号: | 202120773315.5 | 申请日: | 2021-04-15 |
公开(公告)号: | CN214705935U | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 刘宇航;马宏平;卢红亮 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L29/778 | 分类号: | H01L29/778;H01L29/267 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 卢炳琼 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型提供一种基于氧化镓二维电子气的薄膜场效应晶体管。包括衬底、异质结构、栅介质层、源电极、漏电极及栅电极;异质结构包括位于衬底表面的氧化镓层和位于氧化镓层表面的氧化锌层,氧化镓层和氧化锌层的界面处形成二维电子气;栅介质层位于氧化锌层的表面,栅电极位于栅介质层的表面;源电极和漏电极位于氧化镓层的表面,且与氧化镓层欧姆接触。本实用新型利用在原子层沉积氧化锌的过程中对氧化镓层的氧化还原反应所产生的氧空位,在氧化锌/氧化镓异质结界面处形成导电沟道,通过栅极电压对氧空位浓度的调节,实现对场效应晶体管的开关控制,从而为低导通电阻增强型氧化镓二维电子气的耐压电子器件提供新的解决方案。 | ||
搜索关键词: | 基于 氧化 二维 电子 薄膜 场效应 晶体管 | ||
【主权项】:
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