[实用新型]适用于室内发电的硅异质结光伏电池及光伏器件有效

申请号：	202121716040.8	申请日：	2021-07-27
公开（公告）号：	CN215815897U	公开（公告）日：	2022-02-11
发明（设计）人：	杨黎飞;张闻斌;李杏兵;杨青松	申请（专利权）人：	苏州光汇新能源科技有限公司
主分类号：	H01L31/0376	分类号：	H01L31/0376;H01L31/0352;H01L31/0725;H01L31/074
代理公司：	南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256	代理人：	赵世发
地址：	215000 江***	国省代码：	江苏;32
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摘要：	本实用新型公开了一种适用于室内发电的硅异质结光伏电池及光伏器件。所述硅异质结光伏电池包括单晶硅基底以及依次叠设在所述单晶硅基底第一面上的第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一导电薄膜层，以及，依次叠设在所述单晶硅基底第二面的第二本征非晶硅层、第二掺杂非晶硅层、第二导电薄膜层；所述第一导电薄膜层包括第一透明导电层以及设置在第一透明导电层上的第一电极，所述第一透明导电层的第一垂直投影面的全部位于所述第一掺杂非晶硅层的第二垂直投影面内，且所述第一透明导电层的边缘与所述第一掺杂非晶硅层的边缘于预设方向上的距离在5mm以上。本实用新型提供的异质结光伏电池，提高了异质结光伏电池在室内光条件下的光电转换效率。
搜索关键词：	适用于室内发电硅异质结光伏电池器件
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摘要：本发明公开了一种提高太阳能电池光电转化效率的非晶硅薄膜，包括以下原料：硅烷、磷、氢气、均布有聚苯乙烯小球阵列的表面改性AZO导电玻璃基片，均布有聚苯乙烯小球阵列的表面改性AZO导电玻璃基片包括以下原料：聚苯乙烯小球、玻璃垫片、丙酮、双氧水、硫酸、浓氨水、十二烷基硫酸钠溶液、表面改性AZO导电玻璃基片，表面改性AZO导电玻璃基片包括以下原料：AZO导电玻璃基片、丙酮、双氧水、硫酸、浓氨水。本发明还公开了一种提高太阳能电池光电转化效率的非晶硅薄膜的制备方法。本发明具备显著地降低了用于制作太阳能电池的非晶硅薄膜的电阻率与显著地提高了用于制作太阳能电池的非晶硅薄膜的光电转化效率的技术优点。

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摘要：本发明为一种低缺陷密度非晶氧化钼空穴传输层的制备方法。该方法包括以下步骤：(1)将氧化钼陶瓷靶置于射频磁控溅射设备中；(2)再将太阳能电池衬底放入磁控溅射室，抽真空；(3)向磁控溅射室内通入混合气体，使磁控溅射室的工作压强为0‑2Pa；所述混合气体氧气和氩气；(4)给衬底加热，将衬底温度稳定到50‑250℃，沉积时间为20‑60min，得到非晶氧化钼空穴传输层。本发明步骤简单，生长速率可控，并且重复性好；通过调整氧气及氩气的流量比就可实现低缺陷密度非晶氧化钼空穴传输层的制备，从而使其更好的应用在器件上。

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摘要：本申请是一种光电转换元件，包括半导体(1)、在该半导体(1)上设置且含有氢化非晶硅的本征层(4)、第一导电型层(6)、第二导电型层(8)、覆盖所述本征层(4)的一部分的第一绝缘层(5)、第一电极(9)以及第二电极(10)，其特征在于，所述第一导电型层(6)的一部分以及所述第二导电型层(8)的一部分位于所述本征层(4)和所述第一绝缘层(5)相接的区域的上方。

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摘要：本发明公开了一种基于非晶硅薄膜的异质结太阳能电池器件的制备方法，通过等离子体化学气相沉积法在涂了均匀银浆并退火后的单晶硅表面上沉积两层分别为i型和p型的非晶硅薄膜，然后用磁控溅射的方法制备阳极导电电极层。本发明通过制造的非晶—晶体异质结来有效增强光生载流子的传输与收集，同时通过沉积i型非晶硅薄膜，作为此种异质结薄膜的缓冲薄层，以达到收集载流子、提高光学转换效率的目的。本发明的基于非晶硅薄膜的异质结太阳能电池器件，具有大面积、高效率、低价格、稳定性好的优点，可应用于用于发电的光伏器件上。

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摘要：本发明公开了一种碳硅异质结太阳能电池及其制备方法，该电池包括：硅衬底；钝化层，其制作在硅衬底下表面，覆盖硅衬底，为周期性开孔结构；第一电极，其制作在钝化层下表面，覆盖钝化层，通过钝化层的周期性开孔与硅衬底形成周期性接触；第一非晶碳薄膜层，其制作在硅衬底上表面，覆盖硅衬底；第二非晶碳薄膜层，其制作在第一非晶碳薄膜层上表面，覆盖第一非晶碳薄膜层；第二电极，其制作在第二非晶碳薄膜层上表面，宽度小于第二非晶碳薄膜层。与传统晶体硅电池相比，该电池可以更加有效的利用太阳光谱，该电池既可以独立使用，也可以与目前的晶体硅电池组成机械叠层结构，从而提高晶体硅电池的效率，降低成本。

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申请日： 2015-10-15 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L31/0376
摘要：本实用新型属于新能源技术领域且公开了一种燃气表用非晶硅太阳能电池，包括太阳能电池壳体、弱光太阳能吸收板、强光太阳能吸收板和工作面板，所述弱光太阳能吸收板和强光太阳能吸收板之间设有上玻璃和下玻璃以及上玻璃和下玻璃之间设有玻璃散开控制器和玻璃闭合控制器，所述弱光太阳能吸收板、强光太阳能吸收板、上玻璃和下玻璃位于太阳能电池壳体上端，所述工作面板上设有一号报警器、二号报警器、一号LED灯和二号LED灯。本实用新型由于产品拥用非晶硅独特的宽带隙窗口层，宽广的光响应频谱。使之具有强弱光条件都能使用的特点，该产品除了能在光强时能产生电能外，在阴暗天也能有电能输出，独特的视窗设计不影响燃气表读数。

太阳能组件及其制造方法-201380048927.6
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申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L31/0376
摘要：本发明涉及太阳能组件，包括：前板(30)；无定形硅光电器件(32)，该无定形硅光电器件(32)至少包括透明前电极层(34)、p型掺杂的硅层(36)、本征硅层(38)、n型掺杂的硅层(40)和透明背电极层(42)；背面反射器(44)；和背板(46)。无定形硅光电器件(32)的本征硅层(38)具有介于50nm和300nm之间并且优选介于100nm和200nm之间的厚度。而且，太阳能组件进一步包括在无定形硅光电器件(32)和背面反射器(44)之间的有色密封剂层(48)，有色密封剂层(48)包括着色剂，着色剂以使得太阳能组件在CIE 1931 Yxy颜色系统的色度图中具有由0.15至0.75的x值和0.10至0.70的y值，并优选0.28至0.65的x值和0.20至0.50的y值所限定的区域内的颜色的方式进行选择。这样的太阳能组件具有与传统屋顶瓦的颜色类似的均匀的赤土色，并且能够容易地并入建筑物的结构中。

具有带阻滤光器的光伏器件-201380025381.2
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摘要：公开了一种光伏器件(10a-e)，包括：作为非晶半导体材料的光吸收材料(34、35)；以及具有给定阻带的带阻滤光器结构(20)，相对于光吸收材料设置结构以衰减到达光吸收材料并且具有在阻带内角频率ω^*的电磁辐射，其中阻带对应于从非晶材料的价带尾(VBT)状态至非晶材料的导带尾(CBT)状态的电子激发

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摘要：本发明涉及一种用于制造薄膜太阳能电池的方法，包括以下顺序的步骤：a)沉积正掺杂的硅层(3)，b1)以第一沉积速率沉积第一本征a-Si:H层(21)，b2)以第二沉积速率沉积第二本征a-Si:H层(22)，以及c)沉积负掺杂的硅层(5)，其中，所述第二沉积速率大于所述第一沉积速率。制造的薄膜太阳能电池的特征是：提高了初始效率和稳定效率，同时将总体沉积速率（即便是沉积两个不同的本征层(21、22)的总体沉积速率）保持在合理的和经济的水平。

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摘要：本发明涉及一种薄膜太阳能电池，其包含电极层及半导体层。半导体层包含P型层、I型层及N型层。P型层位于电极层上。I型层包含I型非晶硅层及I型短程有序非晶硅层，I型非晶硅层位于P型层上，I型短程有序非晶硅层位于I型非晶硅层上。N型层位于I型短程有序非晶硅层上。藉由I型短程有序非晶硅层产生结晶绕射现象，降低光裂化反应，以提升薄膜太阳能电池的转换效率。

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申请日： 2012-12-05 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L31/0376
摘要：本实用新型公开了一种非晶硅电池使用的p型半导体，其由p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜构成，p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜均为非晶碳化硅a-SiC:H薄膜，p+层半导体薄膜的暗电导为1×10-5～5×10-5S/cm，能带隙为1.8～1.9eV，厚度为40～80Å；p-层半导体薄膜的暗电导为1×10-7～5×10-7S/cm，能带隙为2～2.1eV，厚度为30～100Å。本实用新型既能允许更多有用的光通过它进入本征吸收层i层，同时能与前电极或者前一结电池完美接触以最大限度的提升空穴的导出效率，从太阳光谱利用效率和载流子收集效率两方面进行提升以提高由该p型半导体制备的光伏电池的能量转换效率。

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摘要：一种p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱窗口层材料，是采用层递式沉积方法制备的由宽带隙非晶硅碳薄膜和窄带隙p型纳米颗粒硅薄膜交替生长的多层材料，非晶硅碳薄膜的厚度为2-8nm，p型纳米颗粒硅薄膜的厚度为2-8nm，如此循环沉积多次，直至形成总厚度为20-50nm的p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱材料；该p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱窗口层材料用于硅基薄膜太阳电池。本发明的优点是：该材料光学带隙可达2.0~3.7eV，电导率可达0.1~5.0S/cm；该材料用于硅基薄膜太阳电池，可显著提高电池的开路电压，降低窗口层的光吸收损失，提高电池的短波响应和短路电流密度，提高光电转换效率。

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摘要：本实用新型提供了一种占用面积小、发电效率高的堆叠式非晶硅太阳能电池，从上到下依次为上玻璃层、二氧化锡层、多个PN半导体层、树脂层和下玻璃层；所述上玻璃层、二氧化锡层、PN半导体层、树脂层和下玻璃层的面积相同。本实用新型的堆叠式非晶硅太阳能电池，通过设置多层PN半导体层，并增加二氧化锡层和树脂层，大大减小了电池的占用空间，并提高了发电效率，使得太阳能电池应用更加广泛。

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摘要：本发明的光电装置包括：第一电极；第二电极；第一电极和第二电极之间依次层压的p型窗层、缓冲层、吸光层以及n型层。当所述p型窗层由氢化非晶氧化硅构成时，所述缓冲层则由氢化非晶碳化硅或氢化非晶氧化硅构成；当所述p型窗层由氢化非晶碳化硅构成时，所述缓冲层则由氢化非晶氧化硅构成。

太阳能电池-200780007078.4
发明人：纳齐尔·皮亚拉利·凯拉尼;巴努·甘加达尔·罗亚普罗尔;达维特·叶吉克扬;斯特凡·祖科廷斯基 -专利权人：阿莱斯技术公司
申请日： 2007-01-10 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L31/0376
摘要：本发明提供一种用于异质结太阳能电池的薄膜非晶硅-结晶硅背异质结和背表面场器件结构。该结构通过在低温下在结晶硅的背表面上形成异质结而获得。低温制造允许应用低分辨率光刻法和/或荫罩工艺来制备该结构。通过在背面布置电接触，由此将该电接触从入射光路径上移除，从而消除荫影损耗。背接触仅需要对于最大电荷载流子收集进行优化，而不用担心荫影损耗。背异质结器件的开路电压高于全结晶器件的开路电压。该太阳能电池结构同样可适用于通过利用各种制造工艺形成的结晶硅晶片吸收体以及硅薄层。

薄膜、薄膜的形成方法和具有该薄膜的太阳能电池-200810089987.3
发明人：李沅民;杨与胜 -专利权人：福建钧石能源有限公司
申请日： 2008-04-15 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L31/0376
摘要：本发明的提供了一种增加氢化非晶硅薄膜能带隙的方法，将氟元素加入到非晶硅材料中。本发明的薄膜具有更宽的能带隙，具有这种薄膜的太阳能电池能够显著提高光电转换效率和稳定性。

陶瓷基片非晶硅薄膜太阳能电池-200720040106.X
发明人：林书铨;唐敦乙;林金锡 -专利权人：常州市亚玛顿科技有限公司
申请日： 2007-06-27 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： H01L31/0376
摘要：本实用新型涉及一种陶瓷基片硅薄膜太阳能电池，特别涉及一种陶瓷基片非晶硅薄膜太阳能电池。它包括基片(1)、导电膜及匹配层(2)、匹配层和透明导电膜层(6)，下电极引线(7)从导电膜及匹配层(2)引出，上电极引线(8)从匹配层和透明导电膜层(6)引出，基片(1)上面是导电膜及匹配层(2)，导电膜及匹配层(2)上面是匹配层和透明导电膜层(6)，在导电膜及匹配层(2)与匹配层和透明导电膜层(6)之间还依次包括n型非晶硅薄膜层(3)、i型非晶硅薄膜层(4)、p型非晶硅薄膜层(5)，基片(1)为陶瓷基片。本实用新型好处：(1)成本低；(2)光电转化效率高；(3)重量轻，耐高温，选择范围广；(4)无污染、无腐蚀。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[实用新型]适用于室内发电的硅异质结光伏电池及光伏器件有效

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