[实用新型]一种VCSEL芯片有效

专利信息
申请号: 202121918121.6 申请日: 2021-08-16
公开(公告)号: CN216794240U 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 徐化勇;李春勇;舒凯;仇伯仓;柯毛龙;冯鸥 申请(专利权)人: 江西铭德半导体科技有限公司
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/024;H01S5/028;H01S5/042
代理公司: 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 代理人: 彭琰
地址: 330000 江西省南昌市南*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 实用新型提供一种VCSEL芯片,包括芯片主体,芯片主体的上表面设有至少一发光单元,发光单元设有多个第一凹槽,芯片主体内在每个第一凹槽的下方均设有第一氧化层,各第一氧化层相互交叠并围成一未氧化的发光孔,芯片主体的上表面在发光孔的上方设有接触电极,芯片主体的上表面在发光单元之外还设有焊盘区域,焊盘区域设有焊盘电极,焊盘电极越过第一凹槽与接触电极相连。本实用新型通过使用独立分布的凹槽来代替传统闭环的沟道,使发光单元和焊盘区域部分互连,使芯片表面整体为平面结构,没有独立的发光圆台结构,无需填充树脂材料来使芯片表面平坦化,降低vcsel芯片的制作难度和成本,提高芯片良率和散热性能,保证器件的长期工作可靠性。
搜索关键词: 一种 vcsel 芯片
【主权项】:
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