[实用新型]晶体生长炉有效
| 申请号： | 202123418391.3 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN216891319U | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 廖寄乔;李丙菊;彭浩波;李姚平;李军 | 申请（专利权）人： | 湖南金博碳基材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 周孝湖 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市长沙高新开发区*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种晶体生长炉，包括：炉体及多个晶体生长单元；晶体生长单元包括托盘、坩埚、加热装置及保温装置，托盘设于炉体内，坩埚设置在托盘上，加热装置围绕托盘设置，保温装置围绕加热装置的外侧设置；多个晶体生长单元分别独立地设置在炉体内。该晶体生长炉内的多个晶体生长单元均配备有独立的热场，同时保证了各晶体生长单元内的热场均匀，有效减小了晶体生长单元的径向温度梯度，并且能够对每个晶体生长单元的温度实现更加精确地控制，可提高产品品质。在炉体内设置多个晶体生长单元，可实现单个生长单元长晶或多个生长单元同时长晶，也可采用不同尺寸的晶体生长单元，提高了单炉产量，同时保证了生产的灵活性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长 | ||
【主权项】：
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