[发明专利]用于提供带隙电压参考的设备在审

专利信息
申请号: 202180046553.9 申请日: 2021-06-29
公开(公告)号: CN115735170A 公开(公告)日: 2023-03-03
发明(设计)人: R·里特尔 申请(专利权)人: 罗伯特·博世有限公司
主分类号: G05F3/30 分类号: G05F3/30
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 郭毅
地址: 德国斯*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种用于提供带隙电压参考的设备(10)。所述设备包括:用于提供第一温度电压(PTAT)的第一电路(20),所述第一温度电压与当前的温度成比例,其中,所述第一电路具有两个并联的电流路径(21,22),其中,在所述并联的电流路径(21,22)的第一电流路径(21)中布置有第一二极管元件(23)并且在所述并联的电流路径(21,22)的第二电流路径(22)中布置有第二二极管元件(24);用于提供第二温度电压(CTAT)的第二电路(30),所述第二温度电压与当前的温度互补;调节电路(40),所述调节电路设置用于调节所述第一电路(20)的两个并联的电流路径(21,22)之间的电压差;电流偏置电路(50),所述电流偏置电路设置用于控制穿过所述第一二极管(23)的电流流动与穿过所述第二二极管(24)的电流流动的比率,其中,所述电流偏置电路(50)包括校准电路(60),所述校准电路将所述比率调整为目标值。
搜索关键词: 用于 提供 电压 参考 设备
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗伯特·博世有限公司,未经罗伯特·博世有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202180046553.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 对数电流-电压转换器-202180054752.4
  • P·M·斯特罗埃特 - 美国亚德诺半导体公司
  • 2021-11-30 - 2023-05-05 - G05F3/30
  • 本文公开了用于对数电流到电压转换的设备和方法。在某些实施例中,对数电流‑电压转换器包括:接收输入电流的输入端子;提供对数输出电压的输出端子;第一场效应晶体管(FET),栅极连接到所述输入端子;第一双极晶体管,具有连接到所述输入端子的集电极和连接到所述输出端子的发射极;和连接到输出端子和第一FET以形成反馈回路的堆叠晶体管。例如,堆叠晶体管可以对应于具有连接到输出端子的集电极和连接到第一FET的源极的基极的第二双极晶体管,或者对应于具有连接到输出端子的漏极和连接到第一FET的源极的栅极的第二FET。
  • 用于提供带隙电压参考的设备-202180046553.9
  • R·里特尔 - 罗伯特·博世有限公司
  • 2021-06-29 - 2023-03-03 - G05F3/30
  • 本发明涉及一种用于提供带隙电压参考的设备(10)。所述设备包括:用于提供第一温度电压(PTAT)的第一电路(20),所述第一温度电压与当前的温度成比例,其中,所述第一电路具有两个并联的电流路径(21,22),其中,在所述并联的电流路径(21,22)的第一电流路径(21)中布置有第一二极管元件(23)并且在所述并联的电流路径(21,22)的第二电流路径(22)中布置有第二二极管元件(24);用于提供第二温度电压(CTAT)的第二电路(30),所述第二温度电压与当前的温度互补;调节电路(40),所述调节电路设置用于调节所述第一电路(20)的两个并联的电流路径(21,22)之间的电压差;电流偏置电路(50),所述电流偏置电路设置用于控制穿过所述第一二极管(23)的电流流动与穿过所述第二二极管(24)的电流流动的比率,其中,所述电流偏置电路(50)包括校准电路(60),所述校准电路将所述比率调整为目标值。
  • 基准电压产生电路和方法-202180003862.8
  • 广瀬洋光;中野薰 - 日清纺微电子有限公司
  • 2021-05-31 - 2023-02-03 - G05F3/30
  • 本发明提供通过简单的电路来改善输出电压的温度依赖性的基准电压产生电路。基准电压产生电路具备:带隙基准电压电路(10),产生规定的基准电压;以及第一校正电流产生电路(20),应答于温度变化而产生第一校正电流(Is)。所述第一校正电流产生电路(20)通过将所述第一校正电流(Is)注入至所述带隙基准电压电路(10),从而在所述基准电压产生电路的输出电压中产生相对于温度变化的多个电压峰值。构成所述多个电压峰值的每一个的输出电压特性被构成为,输出电压相对于温度变化而连续地变化。所述第一校正电流产生电路(10)具备:温度设定电路(Q4、31),将与所述多个电压峰值分别对应的多个温度设定为能够变更。
  • 利用修整调节的精确带隙参考-201980079131.4
  • T·M·拉斯姆斯 - 高通股份有限公司
  • 2019-10-23 - 2022-09-27 - G05F3/30
  • 本公开的各方面涉及利用修整调节来生成参考电压。因此,利用修整调节生成参考电压涉及使用多个可选择并联元件中的至少一个可选择并联元件生成修整电流;将修整电流输入到并联电阻器分支以生成第一缩放电压;以及将第一电压与第一缩放电压组合以生成参考电压。
  • 闪烁噪声降低的带隙参考电路-202180009309.5
  • E·伊瓦诺夫 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2021-01-06 - 2022-08-26 - G05F3/30
  • 本公开提供了带隙参考电路,该带隙参考电路为了降低输出参考电压的闪烁噪声而对电流镜电路具有多级斩波动作。带隙参考电路包括:第一电流镜,包括一对第一MOSFET和第二MOSFET;第二电流镜,包括第三MOSFET,该第三MOSFET电连接到第一电流镜并被配置为在漏极处提供参考电压;第一双极结型晶体管,电连接到第一电流镜;第二双极结型晶体管,经由第一电阻器连接到第一电流镜;以及第三双极结型晶体管,经由第二电阻器连接到第三MOSFET。该带隙参考电路还包括用于控制MOSFET的运算放大器、以及被配置为对第一电流镜和第二电流镜的输出执行斩波动作的多个斩波开关。
  • 基准电压产生电路-202080084387.7
  • 山本精一 - 罗姆股份有限公司
  • 2020-11-27 - 2022-07-15 - G05F3/30
  • 一种基准电压产生电路(1)具备:产生取决于带隙基准电压和电源电压(VCC)的第一基准电压(VREF1)的带隙基准电路(2);以及将第一基准电压转换为第二基准电压(VREF2)的转换电路(3)。第二基准电压取决于带隙基准电压和接地电压(VSS)。接地电压低于电源电压。
  • 用于初始化带隙电路的系统及方法-201880093968.X
  • 褚炜路 - 美光科技公司
  • 2018-08-28 - 2021-12-03 - G05F3/30
  • 一种半导体装置(10)可包含输出参考电压(Vbgr)的带隙电路(40)。所述半导体装置(10)还可包含耦合到所述带隙电路(40)的启动电路(50)。响应于所述带隙电路(40)被初始化,所述启动电路(50)可将电压源连接到对应于所述带隙电路(40)的输出的节点。所述启动电路(50)还可响应于所述参考电压大于阈值而将所述电压源与所述节点断开连接。
  • 基准电压生成电路-201780083289.X
  • 吉田晴彦 - 新日本无线株式会社
  • 2017-12-19 - 2020-11-03 - G05F3/30
  • 本发明的基准电压生成电路具备:带隙型基准电压生成电路主体(10),在常温下生成大致恒定的基准电压;高温校正电路(30),将越是高温则越增大的高温校正电流供给至电阻,使在高温时由基准电压生成电路主体生成的基准电压上升;低温校正电路(40),将越是低温则越增大的低温校正电流供给至所述电阻,使在低温时由基准电压生成电路主体生成的基准电压上升;以及偏置电路(20),生成与温度对应的偏置电压,控制高温校正电流,并且控制低温校正电流。
  • 两个晶体管的带隙基准电路、集成电路及其形成方法-201611215835.4
  • 林雅芬;林大文;黄毓慧;保罗·罗素;杨胜杰 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2016-12-26 - 2020-09-11 - G05F3/30
  • 一些实施例涉及两个晶体管的带隙基准电路。第一晶体管包括第一源极、第一漏极、分离所述第一源极和所述第一漏极的第一体区、以及第一栅极。所述第一漏极和所述第一栅极耦合至DC电源端。第二晶体管包括第二源极、第二漏极、分离所述第二源极和所述第二漏极的第二体区、以及第二栅极。第二栅极耦合至所述DC电源端,并且第二漏极耦合至第一源极。体偏置电路配置为将体偏压施加至所述第一体区和所述第二体区中的至少一个。其他实施例涉及FinFET器件。本发明还提供了集成电路及其形成方法。
  • 基准电压产生电路和方法-201780086032.X
  • 广瀬洋光 - 理光微电子株式会社
  • 2017-11-09 - 2020-08-11 - G05F3/30
  • 基准电压产生电路包括:第一电压产生电路,第一电阻与第一PN结元件串联连接,并产生第一直流电压;第二电压产生电路,第二电阻及第三电阻与彼此并联连接的多个第二PN结元件串联连接,并产生第二直流电压;以及运算放大器,产生第一直流电压与第二直流电压的差电压,通过基于差电压来控制流过第一电压产生电路和第二电压产生电路的各电流,来产生基于带隙的基准电压,基准电压产生电路包括与第一电压产生电路并联连接的第三电压产生电路,第三电压产生电路是第四电阻与晶体管串联连接而成的,第三电压产生电路产生与流过第三PNP型双极型晶体管的基极电流对应的第三直流电压,并将第三直流电压与第一直流电压一同施加给运算放大器。
  • 用于提供恒定电流的设备及方法-201580081960.8
  • 潘栋;褚炜路 - 美光科技公司
  • 2015-07-28 - 2018-03-27 - G05F3/30
  • 本发明描述一种包括带隙参考电路(102)的设备,所述带隙参考电路(102)包括放大器(104),其包含第一输入及第二输入以及输出;及带隙晶体管(106),其在其控制电极处耦合到所述放大器(104)的所述输出,所述带隙晶体管(106)进一步在其第一电极处共同耦合到所述放大器(104)的所述第一输入及所述第二输入以形成反馈路径。所述设备进一步包括耦合到所述带隙晶体管(106)的所述第一电极的电阻器(114)。
  • 集成电路-201310634873.3
  • D·龚;L·伦德 - 电力集成公司
  • 2010-09-29 - 2017-04-12 - G05F3/30
  • 提供了在半导体衬底上制造的集成电路。一种集成电路包括第一和第二双极型晶体管,第一双极型晶体管的基极和集电极联接到第二双极型晶体管的基极;第一和第二电阻器,串联联接在第二双极型晶体管的发射极和地电位之间,分别具有第一和第二电阻值R1和R2,并分别具有第三和第二温度系数TC3和TC2;第三电阻器,联接在一节点和第二双极型晶体管的集电极之间,当电力被供应到集成电路时第一电流流过第三电阻器,第三电阻器具有第三电阻值R3以及第三温度系数TC3;电流镜,联接到第一和第二双极型晶体管,使得当电力被供应到集成电路时第一电流流过第一和第二双极型晶体管中的每个,第一和第二电阻值使得第一电流在温度变化下恒定。
  • 一种带隙基准电压源电路-201110175848.4
  • 李佳栩;刘辉;傅璟军;胡文阁 - 比亚迪股份有限公司
  • 2011-06-28 - 2015-11-25 - G05F3/30
  • 本发明提供了一种带隙基准电压源电路,属于集成电路领域。该带隙基准电压源电路包括:两个电流通路的电流镜通路,第一电流通路包括依次串联的第一mos管、第二mos管、第一电阻、第一三极管;第二电流通路包括依次串联的第三mos管、第四mos管、第二电阻、第三电阻、第二三极管,第四mos管的源极作为基准电压输出端。该带隙基准电压源电路只有两条电流支路,与现有技术相比,减少了mos管和三极管的使用,有效的减小了带隙基准电压源电路的面积,同时也减小了电流大小及电压源电路的功耗,从而达到降低电路成本及使用成本的效果。
  • 低失调带隙基准源电路及低失调缓冲电路-201420317854.8
  • 田文博;王钊 - 无锡中星微电子有限公司
  • 2014-06-13 - 2014-11-05 - G05F3/30
  • 本实用新型提供低失调带隙基准源电路及低失调缓冲电路,其中,缓冲电路包括:运算放大器;连接于运算放大器的第二输入端与接地端之间的基准电压源,依次连接于运算放大器的输出端与接地端之间的第二电阻和第一电阻;依次连接于运算放大器的第一输入端与第二节点之间的第一电容和第一开关;连接于第一电容和第一开关之间的连接节点与第一节点之间的第二开关;连接于运算放大器的第一输入端与第一节点之间的第三开关;依次连接于运算放大器输出端与电压输出端之间的第四开关和第三电阻;连接于电压输出端与接地端之间的第二电容。与现有技术相比,本实用新型通过分时控制存储电容的连接,以降低运算放大器的输入失调电压对输出电压的影响。
  • 低失调带隙基准源电路及低失调缓冲电路-201410265970.4
  • 田文博;王钊 - 无锡中星微电子有限公司
  • 2014-06-13 - 2014-09-03 - G05F3/30
  • 本发明提供低失调带隙基准源电路及低失调缓冲电路,其中,缓冲电路包括:运算放大器;连接于运算放大器的第二输入端与接地端之间的基准电压源,依次连接于运算放大器的输出端与接地端之间的第二电阻和第一电阻;依次连接于运算放大器的第一输入端与第二节点之间的第一电容和第一开关;连接于第一电容和第一开关之间的连接节点与第一节点之间的第二开关;连接于运算放大器的第一输入端与第一节点之间的第三开关;依次连接于运算放大器输出端与电压输出端之间的第四开关和第三电阻;连接于电压输出端与接地端之间的第二电容。与现有技术相比,本发明通过分时控制存储电容的连接,以降低运算放大器的输入失调电压对输出电压的影响。
  • 电压产生电路-201280018085.5
  • 佐野真也;堀口真志;三木隆博;平木充 - 瑞萨电子株式会社
  • 2012-04-09 - 2014-01-01 - G05F3/30
  • 电压产生电路具有:第1双极型晶体管(Q2);第2双极型晶体管(Q1),发射极在第1电位节点侧与(Q2)的发射极侧同电位,基极配于(Q2)的集电极侧;一端配于(Q2)的集电极侧另一端配于(Q2)的基极侧的第1电阻元件(R2);一端配于(Q1)的集电极侧另一端连接于(R2)的另一端的第2电阻元件(R1);设在(Q2)的基极与第1电位节点之间的第3电阻元件(R3);输出与(Q1)和(Q2)的集电极侧电压的差电压相应的电压的放大器部(A1);电压电流转换部(MP1、MP2),将放大器部的输出电压转换成电流而供给到(R1)与(R2)的连接节点,输出生成的电流;基于生成的电流输出电压的电压生成部(R4)。
  • 无电阻的带隙基准源-201320428827.3
  • 贺红荔;刘楠;庄在龙 - 江苏芯创意电子科技有限公司
  • 2013-07-16 - 2013-12-25 - G05F3/30
  • 一种无电阻的带隙基准源包括正、负温度系数产生电路;负温度系数产生电路包括第一NMOS晶体管以及连接成二极管形式的第一、二双极晶体管,第一、二双极晶体管基极与集电极接地、第一双极晶体管发射极耦合至一运算放大器负输入端,第二双极晶体管发射极连接至第一NMOS晶体管源极,第一NMOS晶体管漏极耦合至运算放大器正输入端,一电流镜耦合至第一NMOS晶体管栅极;正温度系数产生电路包括第三、四NMOS晶体管,第三、四NMOS晶体管源极分别连接至第一双极晶体管发射极和第一NMOS晶体管漏极,并分别耦合至运算放大器的负、正输入端,电流镜耦合至第三、四NMOS晶体管栅极,一NMOS自偏置管耦合至第三、四NMOS晶体管漏极;运算放大器输出端耦合至电流镜。
  • 一种基准电流源-201210165187.1
  • 文光俊;刘佳欣;王耀;张涛 - 电子科技大学;无锡成电科大科技发展有限公司
  • 2012-05-25 - 2013-12-04 - G05F3/30
  • 本发明公开了一种基准电流源,包括:电流源核心电路、电流偏置电路、偏移电压电路和输出级单元,其特征在于,所述电流源核心电路的第五端和第六端分别接至外部的第一相对电压和第二相对电压,所述第一相对电压和第二相对电压的差值作为偏移电压,所述偏移电压随着温度变化基本保持恒定,并且该偏移电压随工艺变化的趋势与载流子迁移率相反。本发明的基准电流源通过在电流源核心电路中引入一个偏移电压改变MOS电阻两端的电压的温度系数,与载流子迁移率的温度系数相互补偿,可以实现零温度系数的输出电流。本发明的基准电流源还具有工艺补偿的特性,减轻工艺偏差对电流源精度的影响。
  • 非线性温度发生器电路-201320066865.9
  • 包兴坤 - 苏州硅智源微电子有限公司
  • 2013-02-06 - 2013-11-20 - G05F3/30
  • 一种非线性温度发生器电路,一对晶体管(也可以为其他半导体元件)共同连接到一个具有负温度系数的偏置电流,一个具有负温度系数的电压加载到晶体管对的基极之间。其中一个晶体管输出一个相对于温度非线性的电流,并且这个输出电流有一个拐点。
  • 带隙基准电路-201310067904.1
  • 井上文裕 - 三美电机株式会社
  • 2013-03-04 - 2013-09-18 - G05F3/30
  • 本发明提供一种可以容易地调整带隙基准电压的大小的带隙基准电路。带隙基准电路具备:根据由于晶体管(Q1)的基极发射极间的PN结的正向电压和晶体管(Q2)的基极发射极间的PN结的正向电压的电压差而在电阻(R0)中流过的基准电流(I0),作为基准电压输出带隙基准电压(VBG)的基准电压生成电路(23);对基准电流(I0)加减修正电流(It)的修正电流加减运算电路(22)。
  • 一种CMOS集成电路中基准电流源产生电路-201110427584.7
  • 姜宇;郭桂良;阎跃鹏 - 中国科学院微电子研究所
  • 2011-12-19 - 2013-06-19 - G05F3/30
  • 本发明提供一种CMOS集成电路中基准电流源产生电路,包括启动模块用于启动电流产生模块,当电流产生模块开始工作后,启动模块退出工作;电流产生模块产生一个与绝对温度成正比的电流;基准电压产生模块由与绝对温度成正比的电流结合具有负温度系数的PN结电压,产生一个与温度无关的基准电压;基准电流产生模块由基准电压与正温度系数的电阻结合产生一个与绝对温度互补的电流,该与绝对温度互补的电流与绝对温度成正比的电流结合产生一个与温度无关的基准电流。本发明提供的电路,利用一个正温度系数的电流和一个负温度系数的电流结合产生与温度无关的基准电流。而现有技术中由基准电压与电阻的比值实现的基准电流却受温度的影响。
  • 非线性温度发生器电路-201310045631.0
  • 包兴坤 - 苏州硅智源微电子有限公司
  • 2013-02-06 - 2013-06-19 - G05F3/30
  • 一种非线性温度发生器电路,一对晶体管(也可以为其他半导体元件)共同连接到一个具有负温度系数的偏置电流,一个具有负温度系数的电压加载到晶体管对的基极之间。其中一个晶体管输出一个相对于温度非线性的电流,并且这个输出电流有一个拐点。
  • 基准电压生成电路及基准电压源-201280002122.3
  • 小笹正之;犬饲文人 - 松下电器产业株式会社
  • 2012-03-09 - 2013-04-03 - G05F3/30
  • 提供一种能够以简单的结构提高温度依存特性的基准电压生成电路。具备:基准电压生成电路单元(1),具有第1二极管特性元件(D1)和与该第1二极管特性元件(D1)相比流动的电流密度不同的第2二极管特性元件(D2),输出基于对该第1二极管特性元件和第2二极管特性元件施加的电压之差而生成的基准电压(VBG2);第1调整电路单元(2),调整基准电压(VBG2)的1次温度系数;以及第2调整电路单元(3),调整基准电压(VBG2)的2次温度系数。
  • D类功放恒流源装置-201220501755.6
  • 闫章勇;董生怀;谭胜培;李伟;李炜东 - 郑州万特电气有限公司
  • 2012-09-28 - 2013-03-13 - G05F3/30
  • 本实用新型提供了一种D类功放恒流源装置,它包括耦合电阻、反馈电阻、采样电阻、运算放大器、D类功放、电流互感器和电源装置,其中,耦合电阻的一端作为电源输入端,耦合电阻的另一端连接运算放大器的反向输入端,运算放大器的正向输入端接地,运算放大器的输出端连接D类功放的输入端,D类功放的输出端连接电流互感器一次侧的一端,电流互感器一次侧的另一端连接采样电阻的一端和反馈电阻的一端,电流互感器的二次侧作为电源输出端,采样电阻的另一端接地,反馈电阻的另一端连接运算放大器的反向输入端,电源装置分别连接运算放大器和D类功放。功放恒流源装置具有设计科学、实用性强、散热性好和工作效率高的优点。
  • 一种CMOS带隙基准电压源-201110204365.2
  • 刘明;张君宇;张满红;霍宗亮;谢常青;潘立阳;陈映平;刘阿鑫 - 中国科学院微电子研究所
  • 2011-07-21 - 2013-01-23 - G05F3/30
  • 本发明涉及一种CMOS带隙基准电压源。所述电压源包括输入电流源Iref、PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、三极管Q1和三极管Q2。本发明CMOS带隙基准电压源由于未采用运算放大器和自启动电路,版图上占用面积会显著减小,结构简单,需要规避的风险更小,有助于提高产品良率;同时由于没有运算放大器,也不会受到运算放大器的失调影响,有利于精度的提高。
  • 电压基准电路-201210160406.7
  • 陶云彬 - 华为技术有限公司
  • 2012-05-22 - 2012-09-19 - G05F3/30
  • 本发明公开了一种电压基准电路,包括电流镜像电路的供电端与电源连接,其输入端与第一场效应管的漏极连接,其第一输出端与第二场效应管的漏极连接,其第二输出端通过第一电阻与三极管的输入端连接;第一场效应管的栅极与第二场效应管的漏极连接,其源极与第二场效应管的栅极连接,并通过第二电阻与第三场效应管的漏极连接;第二场效应管的源极与地连接;第三场效应管的栅极与其漏极连接,其源极与地连接;第二场效应管的电流密度大于第三场效应管;电流镜像电路输出的第一电流的大小与基准电流的大小满足第一比例关系;三极管与第一电阻构成电压基准电路的输出端,利用较小的芯片面积、较低的功耗获得了较高精度的基准电压。
  • 恒压电路-201210024785.7
  • 广部希世;齐藤润一 - 阿尔卑斯电气株式会社
  • 2012-02-06 - 2012-08-08 - G05F3/30
  • 本发明提供一种能兼顾稳定启动与低消耗功率的恒压电路。该恒压电路具备:利用双极型晶体管的带隙电压生成基准电压的第1基准电压产生部(2);利用场效应晶体管生成基准电压的第2基准电压产生部(3);参照第1基准电压产生部(2)的输出电压、或者第2基准电压产生部(3)的输出电压的任意一个而生成恒压的恒压生成部(4);和对第1基准电压产生部(2)、第2基准电压产生部(3)以及恒压生成部(4)进行控制的控制部(5);在启动初始期间,使第1基准电压产生部(2)与第2基准电压产生部(3)动作,在之后的动作期间,使第1基准电压产生部(2)停止。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top