[发明专利]二次电池的制造方法以及二次电池的制造装置在审

专利信息
申请号: 202180060119.6 申请日: 2021-07-21
公开(公告)号: CN116134570A 公开(公告)日: 2023-05-16
发明(设计)人: 吉富修平;石谷哲二 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01G11/36 分类号: H01G11/36
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 宋俊寅
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 使二次电池的制造工序的至少一部分自动化。提供一种可靠性高的二次电池。在第一外包装体上配置第一电极,在第一电极上配置隔离体,在隔离体上配置第二电极,将电解质滴加到第一电极、隔离体和第二电极中的至少一个上,在第一外包装体上配置树脂层,在将电解质浸渍在第一电极、隔离体和第二电极中的至少一个中之后,在第一外包装体上以覆盖第一电极、隔离体以及第二电极的方式配置第二外包装体,在减压下对树脂层照射紫外光来使树脂层的至少一部分固化,并且在照射紫外光之后,在大气压下使用第一外包装体和第二外包装体密封第一电极、隔离体以及第二电极,由此制造二次电池。
搜索关键词: 二次 电池 制造 方法 以及 装置
【主权项】:
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